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公开(公告)号：CN109427561A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810971378.4
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供处理被处理体的方法，在被处理体上形成图案时，为了实现高度集成化所需的细微化，高精度地抑制最小线宽的偏差。本发明的一个实施方式的处理被处理体的方法，在被处理体的表面设有多个孔。该方法包括第一流程，该第一流程包括在孔的内表面形成膜的第一工序和各向同性地对膜进行蚀刻的第二工序。第一工序包括使用等离子体CVD法的成膜处理，膜含有硅。
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公开(公告)号：CN108878285A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810448503.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/00 , H01L21/0337 , H01L21/0475 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。
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公开(公告)号：CN110783190B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910670570.4
申请日：2019-07-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田端雅弘
IPC: H01L21/311 , H01L21/033 , H01L21/28 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够改善局部最小线宽均匀性(LCDU)的技术。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一工序、第二工序和蚀刻工序。等离子体处理装置在第一工序中，在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜。等离子体处理装置在第二工序中，在形成有第一膜的处理对象形成蚀刻速率比第一膜低的第二膜，该第二膜根据开口部的尺寸而在开口部的侧面的膜厚不同。等离子体处理装置在蚀刻工序中，在规定的处理条件下从第二膜之上进行蚀刻，直至在处理对象的至少一部分第一膜的一部分被除去为止。
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公开(公告)号：CN110783187B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910660252.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明能够减轻等离子体处理中对图案造成的损伤。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括开口部形成步骤、第一膜形成步骤、第二膜形成步骤和蚀刻步骤。等离子体处理装置在开口部形成步骤中，对包括基底层和形成在基底层上的第一层的处理对象基片实施蚀刻，来在第一层上形成开口部。等离子体处理装置在判断为开口部满足规定条件的情况下，在第一膜形成步骤中利用化学气相沉积在开口部的底面形成抑制剂，来形成规定的气体种不会吸附于其上的第一膜。等离子体处理装置在形成了第一膜之后，在第二膜形成步骤中通过以规定的气体种为前体气体的原子层沉积，在开口部的侧壁上形成第二膜。等离子体处理装置进而在蚀刻步骤中对开口部实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN108735597B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201810329353.4
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种能够良好地进行立体的图案形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中提供了对被处理体的蚀刻方法，被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从主面上看时露出，该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；和对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231579B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201711326482.X
申请日：2017-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。
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公开(公告)号：CN107799400B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201710754868.4
申请日：2017-08-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在被处理体上的图案形成中能够应对伴随着高度集成化的微细化和多样的形状的图案的形成的技术。在一实施方式的处理被处理体的方法中，被处理体包括第一凸部、第二凸部、被蚀刻层和槽部，槽部设置在该被处理体的主面并设置在该被蚀刻层，被夹在该第一凸部和该第二凸部之间，槽部的内侧的表面包含在该被处理体的该主面，该方法反复执行N次第一流程，其中，N为2以上的整数，第一流程包括：(a)在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内在该被处理体的该主面保形地形成保护膜的步骤；和(b)在上述步骤(a)的执行后，由在处理容器内产生的气体的等离子体对被处理体中的槽部的底部蚀刻的步骤。
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公开(公告)号：CN112397375A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010766022.4
申请日：2020-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供基片和基片处理方法。基片包括：作为蚀刻的对象的被蚀刻膜；和第1膜。第1膜形成于被蚀刻膜上，由与被蚀刻膜相比对于蚀刻的蚀刻速率低的材料形成。第1膜中，在表面的一方向以第1间隔形成有多个第1开口。第1膜中，在一方向的多个第1开口的外侧，以距最外侧的第1开口和第1间隔相同程度的第2间隔且比第1开口宽的宽度，形成有与第1开口相比深度浅的第2开口。本发明能够抑制形成于被蚀刻膜的各开口的形状之间产生差异。
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公开(公告)号：CN110616416A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910525969.3
申请日：2019-06-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田端雅弘
IPC: C23C16/455 , C23C16/513
Abstract: 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置，能够精密控制半导体基板的图案。本发明的基板处理装置包括：处理装置，其具有腔室；以及控制器，其具有存储器、以及与该存储器连接的处理器。其中，存储器存储用于对处理器进行控制而对处理装置的处理进行控制的、可通过计算机执行的命令。处理装置的处理包括第1处理，通过化学气相沉积(CVD)，在腔室内的基板的第1区域内形成第1膜。此外，处理装置的处理包括第2处理，通过原子层沉积(ALD)，在腔室内的基板的第2区域内形成第2膜。此外，处理装置不将基板从腔室移动至其外而实施第1处理及第2处理。
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公开(公告)号：CN110164765A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910116964.5
申请日：2019-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/322 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域的蚀刻方法。一实施方式的蚀刻方法中，相对于含有硅和/或锗的第二区域，有选择地蚀刻含有硅和氮的第一区域。在该蚀刻方法中，使用氢等离子体，对包含第一区域的表面的第一区域的至少一部分进行改性，形成第一改性区域，使用氧等离子体，对包含第二区域的表面的第二区域的至少一部分进行改性，形成第二改性区域，使用氟等离子体，相对于第二改性区域，有选择地蚀刻第一改性区域。由此，能够相对于被加工物的第二区域有选择地蚀刻被加工物的第一区域。
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