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公开(公告)号：CN102681356A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210069291.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种局部曝光方法以及局部曝光装置，容易地调整在基板面内精确地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后的抗蚀剂残膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。该局部曝光方法具备以下步骤：针对形成于被处理基板(G)的感光膜的规定区域，根据其膜厚来求出要照射的目标照度；确定能够照射到上述规定区域的至少一个发光体；关于所确定的上述一个发光体(GR)，在与该发光体相邻的其它发光体能够照射到上述规定区域内的情况下，从上述目标照度中减去由该其它发光体的发光引起的干涉光的照度，将所算出的该值设为校正后的设定照度；以及根据校正后的上述设定照度来决定驱动电流值，根据该驱动电流值使上述一个发光体发光。
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