Patent search ap:("东京毅力科创株式会社") AND inv:"广津信" Page 2

11.

发明公开
等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质无效

公开(公告)号：CN101030527A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710084786.X

申请日：2007-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 广津信 , 内藤和香子 , 铃木敬纪

IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在对防反射膜进行蚀刻时，能够在宽范围控制等离子体，由此可控制蚀刻特性的分布，因此在之后的蚀刻对象膜的蚀刻中能够控制CD分布。本发明的等离子体蚀刻方法用于对在被处理体(W)上形成的防反射膜进行等离子体蚀刻，包括：在上下相对设置有第一电极(34)和第二电极(16)的处理容器(10)内，配置在基板上依次形成有蚀刻对象膜、防反射膜和被图案化的光致抗蚀剂膜的被处理体的工序；向处理容器(10)内导入处理气体的工序；向第一电极(34)和第二电极(16)中的任一个施加高频电力，生成等离子体的工序；向任一个电极施加直流电压的工序。

Patent Agency Ranking