-
公开(公告)号：CN115461489A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180030110.0
申请日：2021-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及PVD装置。PVD装置具备：腔室、多个载置台、第一靶保持部、电力供给机构以及屏蔽件。多个载置台设置在腔室内，并分别能够在上表面载置至少一个基板。第一靶保持部能够保持靶，该靶暴露在腔室内的空间，并针对一个载置台设置至少一个。电力供给机构经由第一靶保持部向靶供给电力。屏蔽件设置于腔室内，一部分配置在多个载置台中的第一载置台与第二载置台之间、以及第一载置台上的第一处理空间与第二载置台上的第二处理空间之间。
-
公开(公告)号：CN114293156A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111498049.0
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜系统和成膜方法，能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜。成膜系统的成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
-
公开(公告)号：CN110819949A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910733755.5
申请日：2019-08-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种能够以倾斜成膜为基础而进行自由度较高的溅射成膜的成膜装置、成膜系统以及成膜方法。成膜装置具备：处理腔室；第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部，其分别具有在处理腔室的处理空间沿着互不相同的倾斜方向释放溅射粒子的靶；溅射粒子遮蔽板，其具有供溅射粒子穿过的穿过孔；基板支承部，其支承基板；基板移动机构，其使基板直线地移动；以及控制部。控制部以使基板直线地移动的方式进行控制，同时控制来自第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部的溅射粒子的释放，从第1溅射粒子释放部和第2溅射粒子释放部释放出来的溅射粒子在穿过孔穿过，并向基板上堆积。
-
-
Search Results
13
records
(took 0.022 seconds)
