公开(公告)号：CN1300254C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN02818923.X

申请日：2002-09-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 塚本遵 ,  真多淳二

IPC: C08L101/00 ,  C08L65/00 ,  C08K3/04 ,  H01L31/04 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明涉及一种有机半导体材料，是在共轭高分子中分散了碳纳米管、且碳纳米管相对于共轭高分子的重量分数为3%或3%以下的有机半导体材料。根据本发明能够提供以工业规模生产的载流子迁移率高的有机半导体材料。另外，能够提供高性能的有机薄膜晶体管元件、有机光电动势元件等有机半导体元件。

公开(公告)号：CN102369258B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080015763.3

申请日：2010-03-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 关口广树 ,  真多淳二

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  H01B13/00 ,  H01J9/02 ,  H01L31/18 ,  B82Y10/00 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L31/1884 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法，该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。

公开(公告)号：CN101946290B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN200980105095.0

申请日：2009-02-27

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 真多淳二 ,  塚本遵 ,  关口广树

IPC: H01B5/14 ,  B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/24 ,  G06F3/044 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明涉及一种带有透明导电膜的基材，按以下顺序依次具有透明支持基材、热固性树脂膜及碳纳米管导电膜，所述热固性树脂膜含有50重量％以上的三聚氰胺树脂，所述碳纳米管导电膜电阻的线性值为1.5％以下。根据本发明能够得到具有导电膜的带有透明导电膜的基材，所述导电膜对基材的密合性及面内均匀性优异。

公开(公告)号：CN102630327A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201080053205.6

申请日：2010-12-16

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 佐藤义和 ,  渡边修 ,  关口广树 ,  真多淳二

IPC: H01B5/14 ,  G06F3/045 ,  H01B13/00 ,  G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B27/18

CPC classification number: G06F3/041 ,  B32B7/02 ,  B32B15/02 ,  B32B15/08 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B2457/208 ,  G06F2203/04103 ,  Y10T428/24744 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种导电层合体，其对在将导电层合体加工形成用于触控面板等的电极构件时的化学蚀刻中所使用的除去剂具有耐受性，对热具有良好的耐久性。所述导电层合体的特征在于，在基材的至少一面从基材侧层合有导电层和保护层，所述导电层包含具有由线状结构体构成的网状结构的导电成分，保护层的平均厚度t为100～1000nm。

公开(公告)号：CN102369258A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080015763.3

申请日：2010-03-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 关口广树 ,  真多淳二

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/02 ,  C09K13/06 ,  H01B13/00 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L31/1884 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是一种导电膜去除剂以及使用该导电膜去除剂的导电膜去除方法，该导电膜去除剂中包含沸点在80℃以上的酸或沸点在80℃以上的碱或者在外部能量的作用下产生酸或碱的化合物、溶剂、树脂和均化剂。本发明提供一种能在面内均匀地去除导电膜的希望部分的导电膜去除剂及导电膜去除方法。

公开(公告)号：CN101589482B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880003179.9

申请日：2008-01-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  城由香里 ,  塚本遵 ,  真多淳二

IPC: H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。

公开(公告)号：CN101589482A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200880003179.9

申请日：2008-01-25

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 村濑清一郎 ,  城由香里 ,  塚本遵 ,  真多淳二

IPC: H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0566 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管，其通过含有特定的噻吩化合物与碳纳米管的有机半导体复合材料，能用喷墨等涂布工艺进行制膜，具有高电荷迁移率，即使在大气中也可以维持高开关比。