公开(公告)号：CN107609293B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201710870174.7

申请日：2017-09-22

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 朱秋菊 ,  潘自民 ,  曹旭民 ,  张茂 ,  刘鹏飞 ,  陈婕

IPC: G06F30/17 ,  G06F30/20 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提出一种产品在随机振动中紧固件松脱的判断方法，包括以下步骤：基于一产品，确定所述产品上待判断紧固件所承受的产品重量；对产品进行随机振动力学仿真，根据仿真获得产品上待判断紧固件处的响应加速度；根据所述待判断紧固件所承受的产品重量及所述响应加速度，计算所述待判断紧固件在随机振动下相应位置处的振动力；确定所述待判断紧固件在所述产品中的预紧力，确定所述待判断紧固件在工作条件下的静摩擦系数，根据所述静摩擦系数和所述预紧力计算该待判断紧固件拧紧时承受的静摩擦力；进行判断，当所述振动力大于等于所述静摩擦力时，判定紧固件松脱。实现无需上振动台就能判断产品紧固件是否会松脱。

公开(公告)号：CN105262449B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201510695689.9

申请日：2015-10-23

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 黄硕 ,  董硕 ,  赵涛 ,  姚崇斌 ,  吕利清 ,  洪晨晖 ,  刘鹏飞

IPC: H03F1/42 ,  H03F3/20

Abstract: 本发明公开了一种X波段GaN HEMT功率器件直流偏置电路，该电路包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，其中：所述栅极偏置电路包括电容C1、C3，电阻R1及扼流滤波电路K1，用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的栅极电压；所述漏极偏置电路包括电容C2、C4，电阻R2及扼流滤波电路K2，用于对X波段GaN HEMT功率器件提供合适的漏极电压。本发明有效解决了X波段GaN HEMT功率器件在测试、使用时的直流偏置问题，特别是解决传统直流偏置电路无法获得较宽的工作带宽及较好微波扼流性能的问题。

公开(公告)号：CN107609293A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710870174.7

申请日：2017-09-22

Applicant: 上海航天测控通信研究所

Inventor： 朱秋菊 ,  潘自民 ,  曹旭民 ,  张茂 ,  刘鹏飞 ,  陈婕

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提出一种产品在随机振动中紧固件松脱的判断方法，包括以下步骤：基于一产品，确定所述产品上待判断紧固件所承受的产品重量；对产品进行随机振动力学仿真，根据仿真获得产品上待判断紧固件处的响应加速度；根据所述待判断紧固件所承受的产品重量及所述响应加速度，计算所述待判断紧固件在随机振动下相应位置处的振动力；确定所述待判断紧固件在所述产品中的预紧力，确定所述待判断紧固件在工作条件下的静摩擦系数，根据所述静摩擦系数和所述预紧力计算该待判断紧固件拧紧时承受的静摩擦力；进行判断，当所述振动力大于等于所述静摩擦力时，判定紧固件松脱。实现无需上振动台就能判断产品紧固件是否会松脱。