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公开(公告)号：CN103501435A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310451115.8
申请日：2013-09-27
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H04N17/00
Abstract: 一种用密闭LED光源灯箱测试摄像机动态范围的方法及装置，属测试领域。其将密闭箱式分割成两个相邻的相互独立的第一/第二测试空间；在测试空间前部设置带有摄像机测试孔的前面板；在两个测试空间中分别设置LED光源；在LED光源与前面板之间分别设置透明测试卡；沿两测试空间纵向方向设置带有移动滑块的移动滑轨；LED光源设置在移动滑块上；LED光源控制端、移动滑轨控制端以及待测摄像机镜头图像输出端，与控制计算机I/O端口连接。其提供与外界隔离的密闭测试光源环境，两光源之间完全独立，没有任何串扰，LED光源的光学参数设置以及其与被测设备之间的距离及位置调整，均采用计算机控制，使得整个测试设备操作方便，测量精度大大提高。
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公开(公告)号：CN101581770B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101958236A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055072.5
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: H01L21/02 , H01L21/203 , C23C14/34 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制备方法，包括：提供铝酸锂晶片，使用溅射法在所述铝酸锂晶片上沉积AlN膜层得到半导体衬底。本发明以铝酸锂晶体作为基底，然后在上面采用溅射法沉积AlN膜层制成半导体衬底，由于铝酸锂与GaN的晶格失配度小，作为GaN晶体生长的衬底时，易于制备GaN外延薄膜，并减少由应力引起的高缺陷密度。当在铝酸锂晶片上沉积与GaN晶体结构相同、晶格常数相近的AlN膜层时，可以解决由于铝酸锂晶体和GaN之间的热膨胀差异而导致的GaN外延片开裂的问题。而且，AlN作为缓冲层还可以阻止铝酸锂衬底中Li的挥发，并保护铝酸锂衬底不受酸性或还原性气氛的腐蚀。
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公开(公告)号：CN101581770A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910054184.9
申请日：2009-06-30
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
CPC classification number: G01J1/42 , G01J2001/4252
Abstract: 一种LED灯具流明效率测试方法，属测量领域。其构建一与灯具光输出窗口相同尺寸或形状的大面积矩阵型流明光电探测模块，使被测LED灯具的光输出直接照射在大面积矩阵型流明光电探测模块上，扫描矩阵型流明光电探测模块中各个矩阵单元光电探测器的光电流/电压输出信号，将光电数据以及LED灯具总电功率消耗数据输入计算机进行数据累加和处理，进而得到LED灯具输出的总光通量流明和其流明效率。由于其直接接收LED灯具输出的总光通量，可对灯具总光通量进行实时测量，其响应速度快，测试数据的可重复性好，操作方便、快捷，与分布光度计法相比，其设备造价低廉，容易普及到一般实验室，可广泛用于各种灯具的节能性能/发光效率的测试领域。
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公开(公告)号：CN101954617B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102599128A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110458675.7
申请日：2011-12-31
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海国略光电科技有限公司
Abstract: 一种以LED灯为引诱光源的溺水捕杀害虫的方法及装置，属捕捉或杀灭昆虫装置领域。其通过设置水槽、空心立柱、发光部件承载台和LED发光部件，使得LED发光部件的出光向下射入液体中；在水槽底部的内表面，设置反光层，用于对LED发光部件发出的光线进行漫反射；通过漫反射的方式来形成出光光源，吸引害虫；其采用溺水扑杀的方式，用充有液体的水槽来构成杀虫装置；利用水槽中的液体、空心立柱和发光部件承载台，构成LED发光部件的冷却部件，将LED发光部件工作时所产生的热量传导和散出。其提高了诱虫灯工作时的安全性与可靠性，具有良好的捕杀效率，达到了安全、节能、环保的效果。可广泛用于农、林业捕捉/杀灭有害昆虫领域。
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公开(公告)号：CN101625400B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910056425.3
申请日：2009-08-14
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心 , 上海光学仪器研究所
Abstract: 一种大数量LED灯具长时同时在线光电检测方法及其装置，属测试领域。其在各光电探测器信号输出端，设置前置放大器、A/D变换模块和无线发射模块，在终端微机系统信号输入端，设置一个受单片机控制的无线数据接收模块；无线数据接收模块和多个无线发射模块构成多对一的、星型网络拓扑结构的无线信号传输单元；将各光电探测器的输出信号进行数字化并按时序地且附有地址编码地进行无线发射，无线数据接收模块在单片机的控制下，对所有无线发射模块所发出的无线传输信号按地址编码进行自动巡检/接收并送入终端微机系统；终端微机系统进行实时自动巡检并采集各组LED灯具的光强变化数据，对每一被测灯具，实施测试管理和集中数据处理。
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公开(公告)号：CN102004028A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010285365.5
申请日：2010-09-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司 , 上海宇豪光电技术有限公司 , 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: G01M11/00
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体发光二极管封装结构有效散热性的方法。本发明提出了基于光谱方法的半导体发光二极管结温与时间依赖关系获得半导体发光二极管封装结构有效散热性的好坏的新方法。通过光学测量方法得到温度和时间的动态曲线，由指数拟合该曲线来获得表征该封装结构有效散热性的等效散热系数。本发明可以简单方便的确定半导体发光二极管封装结构有效散热性，对于寻找最优化的封装材料和封装结构，提高发光二极管的热可靠性和节约成本具有重要意义。
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公开(公告)号：CN101954617A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910055069.3
申请日：2009-07-20
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明提供一种铝酸锂晶片的化学机械抛光方法，包括：采用具有第一浓度的抛光液对所述铝酸锂晶片进行第一阶段化学机械抛光；采用具有第二浓度的所述抛光液对所述铝酸锂晶片进行第二阶段化学机械抛光；所述第二浓度低于第一浓度，所述抛光液为碱性Al2O3抛光液。与现有技术相比，使用碱性的Al2O3抛光液对铝酸锂晶片进行化学机械抛光后，再用清水即可完成对铝酸锂晶片的抛光，不必再经过退火步骤。此外，由于Al2O3抛光液的中Al2O3粒径小，磨削效率高，分散性好，因此能够实现低粗糙度和无划痕的目的。实验结果表明，抛光后的铝酸锂晶片的表面粗糙度小于0.4nm。
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公开(公告)号：CN101931037A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010244358.0
申请日：2010-08-03
Applicant: 上海半导体照明工程技术研究中心
Abstract: 本发明实施例公开内量子效率较高的GaN基LED外延片、芯片及器件。上述外延片，包括P型区、N型区以及设置于P型区和N型区之间的有源层，该外延片基于非极性衬底；所述有源层包括多个量子阱组，所述量子阱组中包括量子阱，所述量子阱包括势垒层和势阱层，所述任一量子阱组的势阱层中铟组分含量与其他量子阱组的势阱层中铟组分含量不相同。从上述的技术方案可以看出，在本发明实施例中，基于非极性衬底可以制备出非极性GaN基材料。由于非极性GaN基材料的极化效应不强，也就不会产生强度较高的内建极化电场，从而降低了电子和空穴波函数向量子阱的两侧偏移、电子和空穴波函数交叠变少的概率，进而提高了内量子效率及发光效率。
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