空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110190199B

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN201910500021.2

    申请日:2019-06-11

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法,本发明提供的空穴注入薄膜,包括CuSCN和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)。本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发光二极管的发光效率和使用寿命;根据实施例的记载,本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光二极管的最高发光效率可达56.6cd·A‑1,最高流明效率可达55.1m·W‑1。本发明所述的空穴注入薄膜的制备方法确保了在低温(100~130℃)条件下成功制备得到含有CuSCN和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)的薄膜。

    一种锂离子电池内部温度估测方法及系统

    公开(公告)号:CN109921111A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910193319.3

    申请日:2019-03-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种锂离子电池内部温度估测方法及系统。方法包括:获取锂离子电池的表面温度值;获取当前工作状态下所述锂离子电池的表面温升斜率;所述表面温升斜率为表面温度变化速率;获取所述锂离子电池所处的环境温度值;根据所述锂离子电池的表面温度值、所述表面温升斜率和所述环境温度值,通过函数估测所述锂离子电池的内部温度。本发明可以降低对电池性能的影响,且降低生产成本。

    一种锂离子电池内部温度估测方法及系统

    公开(公告)号:CN109921111B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910193319.3

    申请日:2019-03-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种锂离子电池内部温度估测方法及系统。方法包括:获取锂离子电池的表面温度值;获取当前工作状态下所述锂离子电池的表面温升斜率;所述表面温升斜率为表面温度变化速率;获取所述锂离子电池所处的环境温度值;根据所述锂离子电池的表面温度值、所述表面温升斜率和所述环境温度值,通过函数估测所述锂离子电池的内部温度。本发明可以降低对电池性能的影响,且降低生产成本。

    一种有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN109980113A

    公开(公告)日:2019-07-05

    申请号:CN201910269033.9

    申请日:2019-04-04

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管及其制备方法,本发明提供的有机发光二极管,包括ITO基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和电极层;所述空穴注入层为PEDOT:PSS层和MoS2量子点层。本发明主要是通过MoS2量子点层来增强有机发光二极管(OLED)的空穴注入能力,同时,所述MoS2量子点层可以阻挡PEDOT:PSS层吸收水分,提高有机发光二极管器件的稳定性。根据实施例的记载,本发明所述的发光二极管器件的最高电流效率最高可达73.5cd·A‑1,较现有技术中的最高电流效率(60.2cd·A‑1)有了较大的提高。

    一种电池管理系统功能测试方法及测试硬件平台

    公开(公告)号:CN109783394B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN201910193316.X

    申请日:2019-03-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种电池管理系统功能测试方法、系统以及硬件测试平台,方法包括:获取待测电池管理系统测试项目文件;对待测电池管理系统测试项目文件进行编辑;将编辑后的测试项目文件传输至PC上位机;判断编辑后的测试项目文件的格式是否是预先设定的标准格式,若编辑后的测试项目文件的格式是预先设定的标准格式,则将所述编辑后的测试项目文件发送至预先搭建好的硬件测试平台对待测电池管理系统进行测试;若编辑后的测试项目文件的格式不是预先设定的标准格式则重新对待测电池管理系统测试项目文件进行编辑。本发明中的方法能够实现对多种环境不同客户需求的电池管理系统的功能的测试。

    空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN110190199A

    公开(公告)日:2019-08-30

    申请号:CN201910500021.2

    申请日:2019-06-11

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法,本发明提供的空穴注入薄膜,包括CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)。本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发光二极管的发光效率和使用寿命;根据实施例的记载,本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光二极管的最高发光效率可达56.6cd·A-1,最高流明效率可达55.1m·W-1。本发明所述的空穴注入薄膜的制备方法确保了在低温(100~130℃)条件下成功制备得到含有CuSCN和聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚(苯乙烯磺酸)的薄膜。

    一种锂掺杂氧化镍薄膜的制备方法及OLED器件

    公开(公告)号:CN109860409A

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201910170878.2

    申请日:2019-03-07

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开一种锂掺杂氧化镍薄膜的制备方法及OLED器件,所述制备方法首先取一块洗净的玻璃或者透明电极作为衬底,用紫外灯处理15min;将六水合硝酸镍和硝酸锂溶于有机溶剂A中,再加入有机助燃剂C,室温搅拌24h溶解均匀形成溶液B;其次将处理后的衬底置于氮气氛围的手套箱内,用移液枪吸取溶液B滴于衬底上,再用旋涂仪旋涂形成设定厚度的薄膜;然后将旋涂后的薄膜进行退火处理;最后待退火结束后温度降至室温时,按照设定时间用紫外灯照射退火后的薄膜进行氧化处理。本发明在低温条件下就能获得具有高电导率的纳米锂掺杂氧化镍薄膜,不仅降低能源和原材料消耗,还将锂掺杂氧化镍薄膜作为空穴注入层,进而提升OLED器件的发光性能。

    Ku波段圆极化介质谐振器天线

    公开(公告)号:CN103545602A

    公开(公告)日:2014-01-29

    申请号:CN201310476314.4

    申请日:2013-10-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种Ku波段圆极化介质谐振器天线。它包括介质基板上表面有一层金属接地板和一条处在介质基板下表面的微带馈线。在金属接地板上面中心处有一个三层堆叠的介质谐振器;在金属接地板中心处有十字缝隙;所述微带馈线的内端处在十字缝隙的正下方,与十字缝隙呈45°;接地板上有两个级联的哑铃型槽缝。该天线阻抗带宽为27.67%,圆极化轴比带宽为6.56%。在工作频率内,天线的最大增益为8.2dB,最小为6.0dB,具有较宽的覆盖范围。在12.2GHz处轴比大约为0.09dB,具有良好的圆极化特性。该天线覆盖IT3区卫星电视广播的常用工作频段,因此可应用于11GHz-14.5GHz频段的卫星电视广播系统。

    一种电池管理系统功能测试硬件平台

    公开(公告)号:CN209447154U

    公开(公告)日:2019-09-27

    申请号:CN201920321200.5

    申请日:2019-03-14

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本实用新型公开一种电池管理系统功能测试硬件平台,所述硬件平台包括:电压产生电路、电流产生电路、等效温度电路、电源电路以及微控制单元;所述电压产生电路的输入端、所述电流产生电路的输入端以及等效温度电路的输入端均所述微控制单元连接,所述电压产生电路的输出端、所述电流产生电路的输出端以及所述等效温度电路的输出端均与待测电池管理系统连接;所述电源电路与所述电压产生电路、所述电流产生电路、所述等效温度电路以及所述微控制单元连接,用于给所述电压产生电路、所述电流产生电路、所述等效温度电路以及所述微控制单元供电。本实用新型中的硬件平台可实现对电池管理系统各项功能参数的精确测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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