一种钴基哈斯勒合金材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117505847A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311441300.9

    申请日:2023-11-01

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种钴基哈斯勒合金材料及其制备方法和应用,其制备方法包括以下步骤:(1)按2:(1~1.75):(0.25~1)摩尔比例称量钴单质粉末、铁单质粉末和锗单质粉末,混合后放置于碳化钨研磨罐中,加入无水乙醇,加入研磨球,球磨处理;(2)将球磨粉末烘干过筛,取筛下磁性合金粉料封入真空石英管,使用马弗炉进行热处理,随炉冷却至室温获得钴铁锗哈斯勒合金。本发明采用球磨方法,可以有效改变合金粉末的表面形貌,使其形成比表面积更大的片状粉末,从而改善磁性合金的电磁吸收性能;通过哈斯勒合金组分元素的选择和比例变化可以有效的增加磁性合金的饱和磁化强度,增加其居里温度,提高磁性合金在高温下的电磁波吸收性能。

    采用微波加热法制备三价易氧化钛酸盐RTiO3多晶的方法

    公开(公告)号:CN105442043A

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201510682116.2

    申请日:2015-10-21

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用微波加热法制备三价易氧化钛酸盐RTiO3多晶的方法,包括如下步骤:以高纯的R2O3和Ti2O3粉末为原料,按摩尔比1:1配比在手套箱内称重,充分研磨混合后,利用压片机制成直径13 mm厚度2 mm的圆片,将反应物放置在圆柱形氧化铝坩埚中,以SiC做导热材料在微波炉内进行加热。该制备方法的优点是利用微波加热,同时以SiC为导热材料,使样品在极短的时间内达到所需的反应温度,避免了低温区杂相的生成。同时,实验过程中保持反应腔内稳定的氩气环境,避免Ti3+发生氧化反应。本发明方法克服在反应温度和反应时间上存在的限制,很大程度上避免了杂质的生成。

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