多弧离子镀膜设备
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114293153A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111520386.5

    申请日:2021-12-13

    Abstract: 本发明提供了一种涉及真空镀膜技术领域的多弧离子镀膜设备,包括放置在壳体内部的真空室、抽气组件、冷却器、PLC控制器以及电源;电源电连接PLC控制器,PLC控制器通过线路分别连接真空室抽气组件以及冷却器,抽气组件连接真空室、并对真空室进行真空处理,冷却器通过水管分别连接真空室和抽气组件,使真空室和抽气组件进行冷却;真空室包括框架、面板、电弧离子源装置以及转架装置,多块面板依次连接于框架四周,多个电弧离子源装置连接于面板内壁上,框架内部连接有转架装置,通过转架装置进行样品移动。本发明将“电、气、水”三方面的设备仪器分割开来,做到易于管理、调整检修,同时在硬件和软件设计方面,提高了设备使用的可靠性和易用性。

    晶体单色器水冷结构和晶体单色器

    公开(公告)号:CN112152052B

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202011016267.1

    申请日:2020-09-24

    Abstract: 本发明提供了一种晶体单色器水冷结构和晶体单色器,包括冷却体、冷却体盖板以及冷却水连接结构;所述冷却体包括冷却体主体,冷却体盖板包括盖板主体,冷却体主体、盖板主体上均设置有环形闭环真空槽、冷却水循环通道槽,冷却体主体、盖板主体连接后,冷却体主体上的环形闭环真空槽与盖板主体上的环形闭环真空槽对应连接形成环形闭环真空通道,冷却体主体上的冷却水循环通道槽与盖板主体上的冷却水循环通道槽对应连接形成冷却水循环通道;冷却水循环通道位于环形闭环真空通道的包围圈内;所述冷却水连接结构连接冷却体盖板。本发明结构简单合理,能够在超高真空环境下对晶体进行水冷,且能够避免一旦冷却水泄漏会破坏及污染单色器腔体环境的问题。

    具有自调节磁场结构的磁控溅射靶、镀制薄膜装置及方法

    公开(公告)号:CN112048705A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010832890.8

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 本发明提供了一种具有自调节磁场结构的磁控溅射靶,包括:靶体、磁场结构、靶材和水冷结构,靶体与靶材紧固连接,靶材与水冷结构紧固连接;磁场结构以磁控溅射靶轴心线作轴对称设置于靶材的下方;磁场结构包括电磁线圈,通过改变电磁线圈的电流值,能够改变磁控溅射靶的磁场分布和磁场强度;水冷结构包括水冷背板,水冷背板上设置的进水通道和出水通道呈间隔分布。本发明通过改变电磁圈的电流值,能够改变磁控溅射靶的磁场分布和磁场强度,形成有效的靶面水平磁场,满足不同靶材高度、不同靶材材料、不同靶面溅射区域等情况的使用。

    一种真空镀膜过程中基体温升的表征方法

    公开(公告)号:CN109280899A

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201811420747.7

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种真空镀膜过程中基体温升的表征方法,包括以下步骤:以淬火钢作为基体,建立淬火钢在不同温度下发生回火转变的参考系,用淬火钢作为基体进行真空镀膜后测膜层与基体界面下方沿纵深方向的组织与性能变化并采用等效对照的思路,得到真空镀膜过程中的基体温升。所述作为基体的淬火钢为两种,分别为具有高温回火温度的40CrNiMo和具有低温回火温度的GCr15,通过建立所述两种基体的回火转变参考系,可实现不同要求的钢质基体保持良好基体承载能力的镀膜工艺设计,相较于传统测温方法,可行性和准确度大大提高。

    复合式精度测量坐标系的转换与统一方法及系统

    公开(公告)号:CN103673976A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310643714.X

    申请日:2013-12-03

    CPC classification number: G01B21/00

    Abstract: 本发明提供了一种复合式精度测量坐标系的转换与统一方法及系统,包括:通过经纬仪空间点坐标的交会测量以建立经纬仪测量坐标系;建立机床测量坐标系;计算公共基准点的坐标;将经纬仪测量坐标系转换为机床测量坐标系。本发明还提供相应的系统。本发明将机床和经纬仪测量系统坐标系组合起来,构建融合测量系统,成功的解决了产品装配阶段的测量需求,测量精度和测量性能均较好的满足了要求;本发明通过引入高精度基准球提供公共基准点,将机床测量坐标系和经纬仪坐标系转换和统一到一个坐标系下,实现了同一坐标系的数据解算和处理,经过系统误差改正,其测量精度明显提高,在特殊条件下具有良好的应用。

    用于设备漏热的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN117848748A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311862304.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种用于设备漏热的测试装置及测试方法,包括绝热腔、温湿度发生装置、真空系统、信息采集系统以及控制装置;所述绝热腔包括均风腔、检测腔以及回风腔,待测物体放置在检测腔内,测试气体先进入均风腔、再通过检测腔,之后再通过回风腔排出;所述温湿度发生装置为绝热腔提供检测气体并回收回风腔排出的气体;所述真空系统与绝热腔相连,所述信息采集系统采集实验过程的参数,所述控制装置与绝热腔、温湿度发生装置、真空系统以及信息采集系统均分别连接。通过基于多层复合隔热以及温湿度测算标定,既免除了外接环境的干扰也可以通过标定消除系统漏热误差,有利于提高精度,且采用绝热腔使装置体积大大缩小。

    多弧离子镀膜设备
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114293153B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202111520386.5

    申请日:2021-12-13

    Abstract: 本发明提供了一种涉及真空镀膜技术领域的多弧离子镀膜设备,包括放置在壳体内部的真空室、抽气组件、冷却器、PLC控制器以及电源;电源电连接PLC控制器,PLC控制器通过线路分别连接真空室抽气组件以及冷却器,抽气组件连接真空室、并对真空室进行真空处理,冷却器通过水管分别连接真空室和抽气组件,使真空室和抽气组件进行冷却;真空室包括框架、面板、电弧离子源装置以及转架装置,多块面板依次连接于框架四周,多个电弧离子源装置连接于面板内壁上,框架内部连接有转架装置,通过转架装置进行样品移动。本发明将“电、气、水”三方面的设备仪器分割开来,做到易于管理、调整检修,同时在硬件和软件设计方面,提高了设备使用的可靠性和易用性。

    吸辐比可调的复合薄膜及其航天器

    公开(公告)号:CN116199926A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211729878.X

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明提供了航天器热控薄膜技术领域一种吸辐比可调的复合薄膜及其航天器,包括金属反射层和发射层,金属反射层表面上设置过渡层和保护层。过渡层设置在金属反射层一侧表面上,保护层设置在金属反射层另一侧表面上,发射层设置在保护层的一侧表面上。金属反射层与发射层的厚度均可调整。本发明目的在改变单一金属膜的功能性局限,通过采用原位沉积方式并通过调整复合膜,尤其是金属反射层和发射层的厚度来调控其太阳吸收比和半球发射率,从而满足航天器结构、天线组件更高、更多元的热控需求,推动航天器轻量化,节约航天器研制成本。

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