一种单晶硅表面金字塔塔底圆化结构的制备方法

    公开(公告)号:CN119776985A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411988878.0

    申请日:2024-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种单晶硅表面金字塔塔底圆化结构的制备方法,涉及单晶硅太阳能电池片生产领域,包括如下步骤:(1)、制绒:将碱液、制绒添加剂和水按照一定比例加入到制绒槽内,加热到一定温度后,将硅片放入制绒槽内反应一定时间后取出用纯水清洗;(2)、塔底圆化处理:将碱液、塔底圆化液和水按比例加入到圆化槽内,加热到一定温度后,将硅片放入圆化槽内反应一定时间,得到具有金字塔塔底圆化结构的单晶硅片;(3)、水洗:用纯水清洗上述硅片;(4)、烘干:使用通有氮气的热的洁净空气烘干硅片;本发明采用碱液加塔底圆化液的组合取代了现有的硝酸氢氟酸CP及臭氧氢氟酸CP,更安全环保,成本更低。

    一种磷酸铁锂复合材料的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119637835A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411769873.9

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种磷酸铁锂复合材料的制备方法及其应用,涉及磷酸铁锂复合材料的制备技术领域,包括以下步骤:(1)将磷酸铁锂、碳纳米管和细菌纤维素按质量比7~9:0.5~1.5:0.5~1.5的比例混合,然后置于模具中;(2)将含有样品的模具水平放置于冷冻冰箱,‑60℃~‑50下进行12~24小时的冷冻处理,确保其完全冷冻结晶;(3)将完全冷冻结晶的样品取出,并置于真空冷冻干燥机中,‑60℃~‑50℃下进行24~48小时的干燥处理,得到新型磷酸铁锂复合材料;本发明制备的磷酸铁锂复合材料,具有优秀的离子传导性,可应用于盐湖卤水提锂中,具有优秀的的提锂性能。

    硅薄膜异质结太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN1314134C

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200410052858.9

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法,衬底清洗:采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗,再将衬底放在去离子水中用超声波清洗,用去离子水冲洗数次,氮气吹干;制备本征非晶硅层:用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层,钨丝温度用光学高温计测量,加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定,用电子温度控制器控制温度,在衬底表面反应生长而成薄膜;在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层;正、背面电极的形成:用溅射工艺在电池的正、背面形成电极;最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性,在AM1.5,100mW/cm2标准光强下,获得的硅薄膜的光电导增益可达106,基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。

    硅薄膜异质结太阳电池的制备方法

    公开(公告)号:CN1588649A

    公开(公告)日:2005-03-02

    申请号:CN200410052858.9

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 一种用于半导体技术领域的硅薄膜异质结太阳电池的制备方法,衬底清洗:采用半导体清洗工艺进行衬底的表面初清洗,再将衬底放在去离子水中用超声波清洗,用去离子水冲洗数次,氮气吹干;制备本征非晶硅层:用热丝化学汽相沉积技术制备本征非晶硅层,钨丝温度用光学高温计测量,加热器与样品的温度分别由两个热电偶测定,用电子温度控制器控制温度,在衬底表面反应生长而成薄膜;在本征非晶硅薄膜上再沉积一层发射层;正、背面电极的形成:用溅射工艺在电池的正、背面形成电极;最后进行真空热退火工艺。本发明薄膜具有光照稳定性,在AM1.5,100mW/cm2标准光强下,获得的硅薄膜的光电导增益可达106,基于此薄膜的非晶硅和晶硅异质结太阳电池的效率达12.5%。

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