公开(公告)号：CN111965761A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010831570.0

申请日：2020-08-18

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 金贤敏 ,  韩丰恺 ,  李轩坤 ,  刘民

IPC: G02B6/293 ,  G02B6/34 ,  G02B6/12

Abstract: 一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。

公开(公告)号：CN113788452B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202111014187.7

申请日：2021-08-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 权雪玲 ,  程秀兰 ,  刘民 ,  付学成 ,  瞿敏妮 ,  黄胜利 ,  凌天宇

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法，包括如下步骤：准备玻璃基片，并进行清洗吹干；当掩膜材料为非光刻胶材料，将掩模薄膜沉积到玻璃基片上，再涂覆光刻胶；当掩膜材料为光刻胶材料，在玻璃基片上涂覆光刻胶；采用光刻的方式，将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上；当掩膜材料为非光刻胶材料，先对掩膜材料进行刻蚀，再对玻璃基片进行刻蚀；当掩膜材料为光刻胶材料，仅对玻璃基片进行刻蚀即可；利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料，形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺，可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min，粗糙度降低到40nm以下，侧壁垂直度接近90°。