公开(公告)号：CN1691349A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510065008.7

申请日：2005-04-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青野真司 ,  山本绫 ,  高桥英树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供一种反向导通型半导体元件在衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和恢复特性优良的整流二极管。该反向导通型半导体元件在由第一导电类型半导体构成的衬底上一体地形成有绝缘栅双极晶体管和整流二极管，其中，整流二极管包含绝缘栅双极晶体管的第二导电类型的基极层和第一导电类型的基极层，将衬底的一个表面的发射极电极作为阳极电极，将衬底的另一个表面的集电极电极作为阴极电极，并由此构成该整流二极管，在第一导电类型的基极层的一部分之上，形成载流子寿命比其它第一导电类型的基极层更短的短寿命区域。