光调制器
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107045214B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201710066298.X

    申请日:2017-02-07

    Abstract: 本发明提供一种光调制器。本发明的目的在于提供能够利用简易的电路结构减小分别输入到光波导路支路的电信号的振幅差的技术。光调制器具备:光分波器,使所入射的连续光分波;光波导路支路以及光波导路支路,被分波的连续光在所述光波导路支路以及光波导路支路传播;π光移相器,对分波的连续光附加π的相位差;光合波器,配置在光波导路支路以及光波导路支路的后级,使在光波导路支路以及光波导路支路传播的连续光合波;信号电极以及信号电极,将电信号分别输入到光波导路支路以及光波导路支路;结电容,并联地连接于信号电极以及信号电极中的至少一方;以及直流电压源,对结电容施加直流电压。

    磁式位置检测装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102741661A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201080062969.1

    申请日:2010-12-14

    CPC classification number: G01D5/147 G01D5/145 G01D5/24438 G01R29/12 G01R33/09

    Abstract: 磁式位置检测装置(10)具备磁铁(4)、形成在沿着基板(3)的假想平面上的第1~第4磁电转换元件(1A~1D)、以及由磁性体构成的磁通导向器(5)。磁通导向器(5)包括在与假想平面平行的X轴方向上隔开间隔而设置的第1以及第2突出部(9B、9A)。在从与假想平面垂直的Z轴方向观察时,在第1以及第2突出部之间的中央附近的磁通导向器(5)中设置了凹状地凹陷的中央部(MP)。在从Z轴方向观察时,第1以及第4磁电转换元件(1A、1D)以覆盖中央部(MP)的一部分的方式设置于第1以及第2突出部之间的大致中央。在从Z轴方向观察时,第2磁电转换元件(1B)设置于第1突出部(9B)与中央部(MP)之间。在从Z轴方向观察时,第2磁电转换元件(1B)设置于第2突出部(9A)与中央部(MP)之间。

    非侵入式物质分析装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118679373A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202280091477.8

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 非侵入式物质分析装置(1)具备光波导电路(10)、探测光源(26)以及光强度检测器(30)。光波导电路(10)具有样本载置区域(19)。探测光源(26)放射探测光(27)。光波导电路(10)包括被入射探测光(27)的第1光波导(11)、波导型环形谐振器(12)以及第2光波导(13)。光强度检测器(30)检测探测光(27)中的与第2光波导(13)光学地耦合的第1光(27a)的强度。

    半导体激光元件
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117981186A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202280061351.6

    申请日:2022-09-14

    Abstract: 半导体激光元件(100)具备:半导体激光部(1);过渡部(2),在第一方向(Y)上与半导体激光部邻接,且入射从半导体激光部出射的光;以及光点尺寸变换部(3),在第一方向(Y)上与过渡部邻接,且入射从过渡部出射的光。半导体激光部、过渡部以及光点尺寸变换部分别包括:半导体基板(5),具有沿着第一方向(Y)和第二方向(X)延伸的第一面(5A);以及在与第一面正交的第三方向(Z)上从第一面侧起依次层叠在第一面上的第一包层(6)、活性层(11)以及第二包层(12、22、32)。过渡部和光点尺寸变换部分别还包括与第二包层的上表面的一部分相接、且具有比活性层及第二包层高的折射率的波导层(23、33)。

    成分测定装置及成分测定方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116917713A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202180094819.7

    申请日:2021-03-03

    Abstract: 成分测定装置测定样品所包含的对象成分。该成分测定装置具备:光学介质部,其供样品静置;激发光源,其向光学介质部射出激发光;探测光源,其向光学介质部射出探测光;强度调制部,其基于与样品的角质层相关的角质层信息,对激发光源射出的激发光实施强度调制而生成强度调制激发光,将所生成的强度调制激发光向光学介质部射出;以及测定部,其基于从射出激发光后的第一状态的光学介质部射出的探测光与从射出强度调制激发光后的第二状态的光学介质部射出的探测光的差异来测定对象成分。

    光半导体元件及其制造方法

    公开(公告)号:CN111684344B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN201880088214.5

    申请日:2018-10-02

    Abstract: 具备:半导体基板(2);第1半导体层(3),设置于半导体基板(2)上;台面波导(44),设置于第1半导体层(3)的主面上;埋入层(5),以使第1半导体层(3)的上表面的一部分露出的方式,覆盖第1半导体层(3)的上表面;以及台面构造(8),设置于第1半导体层(3)的被埋入层(5)覆盖的部分和第1半导体层(3)露出的部分的边界,一方的侧面被埋入层(5)覆盖,另一方的侧面露出,通过降低在埋入层(5)中发生的应力,例如,能够抑制向埋入层(5)发生裂纹,提高可靠性。

    光调制器以及光调制器的控制方法

    公开(公告)号:CN109716679B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201780057766.5

    申请日:2017-05-18

    Abstract: 定时调整部(20)根据定时设定而使第一数据流群组和第二数据流群组之间的定时进行移位。在第一测试模式下,数据生成部(19)生成重复2N位的标记和2N位的空白的第一测试数据流作为第一数据流和第三数据流的各个数据流,且生成相对于第一测试数据流移位了N位后的第二测试数据流,设N为自然数。设第一相位差设定以及第二相位差设定为零。定时调整部(20)以使来自峰值检波电路(18)的检测值最大化的方式调整定时设定。

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