半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN111092029B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN201910994155.4

    申请日:2019-10-18

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 涉及半导体制造装置及半导体制造方法。目的是提供即使在晶片的大口径化等物理极限严格的动作条件的范围中,也可确保药液处理中的充分的面内均匀性的技术。半导体制造装置具备卡盘台、工作台旋转机构、药液喷嘴、药液喷嘴扫描机构、将气体供给至晶片下表面侧的下表面气体喷嘴、对供给至下表面气体喷嘴的气体进行温度调节的气体温度调节器、能够以不通过气体温度调节器的状态将气体供给至下表面气体喷嘴的气体旁路绕过配管、以可将通过气体温度调节器进行温度调节后的气体及通过了气体旁路绕过配管的气体的任意一者供给至下表面气体喷嘴的方式开闭的第1、第2开闭阀。能够通过第1、第2开闭阀的操作对通过下表面气体喷嘴的气体的温度进行变更。

    半导体制造装置以及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110383428B

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN201780088047.X

    申请日:2017-03-10

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 旋转机构部(20)使包含至少一部分被蚀刻的被蚀刻区域的晶片(10)旋转。蚀刻机构部(30)对被蚀刻区域进行蚀刻。厚度测定功能(40)通过对被蚀刻区域的厚度进行测定,从而生成历时厚度数据。蚀刻控制功能(50)在被蚀刻区域的厚度的代表值(7a)达到了目标厚度值的时刻使蚀刻机构部(30)停止。厚度计算功能(60)在每个使晶片(10)旋转N周的单位期间,基于历时厚度数据中的在单位期间中测定的范围即测定区间的测定值(7),对厚度的代表值(7a)进行计算,其中,N为自然数。

    半导体制造装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115206837A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210362875.0

    申请日:2022-04-07

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 目的是得到可提高面内均匀性的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体制造装置具有:旋转台,其使晶片旋转;喷嘴,其将药液供给至所述晶片的处理面;以及喷嘴移动部,其在所述处理面的上方,使所述喷嘴在俯视观察时横穿所述处理面的扫描轨迹上移动,所述喷嘴移动部使所述喷嘴以所述扫描轨迹上的第1轨迹和第2轨迹移动,从而通过所述药液对所述晶片进行蚀刻,所述第1轨迹是相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分在一侧的第1折返点和另一侧的第2折返点折返的轨迹,所述第2轨迹是在所述扫描轨迹上的第3折返点和相对于所述扫描轨迹中的最接近所述旋转轴的部分设置于与所述第3折返点相同侧的第4折返点折返的轨迹。

    半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN111092029A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201910994155.4

    申请日:2019-10-18

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 涉及半导体制造装置及半导体制造方法。目的是提供即使在晶片的大口径化等物理极限严格的动作条件的范围中,也可确保药液处理中的充分的面内均匀性的技术。半导体制造装置具备卡盘台、工作台旋转机构、药液喷嘴、药液喷嘴扫描机构、将气体供给至晶片下表面侧的下表面气体喷嘴、对供给至下表面气体喷嘴的气体进行温度调节的气体温度调节器、能够以不通过气体温度调节器的状态将气体供给至下表面气体喷嘴的气体旁路绕过配管、以可将通过气体温度调节器进行温度调节后的气体及通过了气体旁路绕过配管的气体的任意一者供给至下表面气体喷嘴的方式开闭的第1、第2开闭阀。能够通过第1、第2开闭阀的操作对通过下表面气体喷嘴的气体的温度进行变更。

    半导体制造装置以及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110073479A

    公开(公告)日:2019-07-30

    申请号:CN201680091640.5

    申请日:2016-12-21

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 本发明的目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法,即,连同在晶片或者形成于晶片的厚度测定对象的表面形成有台阶的情况也包含在内,能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。半导体制造装置具备厚度计算功能(100),厚度计算功能(100)具备:测定值取得部(1),其从对晶片的厚度进行测定的厚度测定功能(50)取得晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部(2),其基于多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部(3),其从直方图数据提取分级组,分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,厚度计算功能还具备:代表值计算部(4),其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

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