公开(公告)号：CN1783605A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510119477.2

申请日：2005-11-11

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山口勉 ,  西田武弘 ,  西口晴美 ,  多田仁史 ,  吉田保明

IPC: H01S5/22

Abstract: 提供一种半导体激光器，射出水平方向的远场图样的强度中心不随光输出变化而变化且形状稳定的激光。设定沟部(15)的宽度，以便使脊(6)中央部的电场大小E1与沟部(15)端部的电场大小E2的比率E1/E2大于0.0001而小于0.01。在双沟道型脊形构造的半导体激光器中，沟部(15)的外侧存在等效折射率大于沟部(15)的等效折射率的层。因而，由于分布在从沟部(15)向外侧的光被半导体吸收，故可获得水平方向的远场图样的强度中心不随光输出的变化而变化且形状稳定的激光。

公开(公告)号：CN1499684A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310119695.7

申请日：2003-11-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西口晴美 ,  八木哲哉 ,  吉田保明

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/30

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/162 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/3436

Abstract: 本发明提供一种可以无障碍地在半导体激光器的上包层上形成条状凸部，而且能够抑制乃至防止向上包层一侧扩展光分布的装置。在半导体激光器中，n－GaAs衬底1的上边，顺序地将n－AlGaInP包层(2)、AlGaInP/GaInPMQW有源层(3)、AlGaInP第1上包层(4)、p－AlxGa1－xAs－ESL5、具备条状凸部(6)的p－AlGaInP第2上包层(7)、以及p－GaAs接触层(8)层叠起来。除p－AlGaInP第2上包层(7)的条状凸部(6)以外的部分，都用绝缘膜(9)覆盖起来。P－AlxGa1－xAs－ESL5的折时率为大约与各包层(2、4、7)的折射率相等。