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公开(公告)号:CN120017037A
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202411615568.4
申请日:2024-11-13
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor: 高野阳一
IPC: H03K19/0175 , G01R31/36 , G01R31/385 , H03M1/12 , H03M1/34
Abstract: 本发明提供一种电池电压监视用半导体集成电路以及电子电路系统,能够通过微机进行稳定的监视且精度良好地掌握电池电压。电池电压监视用半导体集成电路具有:电压输入端子(VIN),其被输入来自作为监视对象的电池的电压;分压电路(R1、R2),其具有对该电压输入端子的电压进行分压的串联电阻;以及输出端子,其输出与由该分压电路分压后的电压相应的电压,所述电池电压监视用半导体集成电路具有:电压缓冲电路(51),其连接在所述串联电阻的连接节点(N1)与所述输出端子之间;以及钳位电路(52),其对所述串联电阻的连接节点的电位进行钳位。
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公开(公告)号:CN118432593A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410135331.X
申请日:2024-01-31
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H03K17/082 , H03K17/687 , H03K17/08
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置,具备过电流保护电路,在反复进行重试动作的期间持续输出表示异常状态的信号。在具备连接在电压输入端子与电压输出端子之间的输出晶体管和控制输出晶体管的控制电路的半导体集成电路装置中,具备:过电流检测电路,能够检测出在输出晶体管中流过预定值以上的电流的情况;重试电路,根据检测到过电流状态的情况,输出用于使输出晶体管间歇地成为断开状态的信号;以及外部端子,用于输出错误标志信号,控制电路具有基于从重试电路输出的信号反复进行使输出晶体管暂时断开的控制的功能,重试电路在检测到过电流状态后,在控制电路反复进行使输出晶体管暂时断开的控制的期间,使表示异常的错误标志连续地表示异常。
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公开(公告)号:CN114597202A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202111476895.2
申请日:2021-12-02
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor: 高野阳一
Abstract: 一种半导体集成电路装置,具有过电流保护电路,能够在超过容许损失之前切断输出电流。半导体集成电路装置具有:输出晶体管,其连接在被输入直流电压的电压输入端子与电压输出端子之间;控制电路,其将该输出晶体管控制为导通状态或截止状态,其中,具有:比例电流生成电路,其能够生成对流过输出晶体管的电流进行比例缩小后的电流;过电流检测电路,其能够根据由比例电流生成电路生成的电流来检测在输出晶体管流过了预定值以上的电流;重试电路,其根据过电流检测电路检测到输出电流的过电流状态,生成用于使输出晶体管间歇地成为截止状态的信号。另外,控制电路构成为根据从重试电路输出的信号反复进行使输出晶体管暂时截止的控制。
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公开(公告)号:CN107885270B
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN201710892694.8
申请日:2017-09-27
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种调节器用半导体集成电路设置有:打开异常检测电路,其检测输出端子的打开状态;短路异常检测电路,其检测短路状态;第一输出端子,其用于将打开异常检测电路的检测结果输出给外部;第二输出端子,其用于将短路异常检测电路的检测结果输出给外部;和过热保护电路,其检测出半导体基板的温度,在检测出基板温度上升到预先设定的预定温度以上时,断开电压控制用晶体管,该调节器用半导体集成电路通过第二输出端子输出取过热保护电路的输出信号与短路异常检测电路的输出信号的逻辑或的信号,不会根据上述过热保护电路的输出信号来阻止打开异常检测电路的输出信号。
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公开(公告)号:CN110647201A
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201910532747.4
申请日:2019-06-19
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种放电用半导体集成电路以及电源系统,其能够通过一个控制信号控制多个电源或供给电压的切断时序,且能够容易地变更放电时间。在具备多个放电用元件、分别连接了这些多个放电用元件的一方的端子的多个外部端子、能够从外部输入表示内部电路动作的有效/无效的信号的控制用外部端子的放电用半导体集成电路中,构成为在多个放电用元件的控制端子输入从控制用外部端子输入的信号或以该信号为输入的逻辑电路的输出信号,根据多个放电用元件被设为导通状态,从对应的外部端子吸取电荷。
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公开(公告)号:CN106959718A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201611170438.X
申请日:2016-12-16
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor: 高野阳一
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种调节器,其使用较少的元件数量在轻负载时减小高温时的截止漏电流所引起的输出电压的上升。调节器(100)的特征在于,具有:由误差放大电路(104)的输出控制的输出晶体管(M1);栅极连接到第一端子(101)的第一MOS晶体管(M2);源极连接到第二端子(102),栅极和漏极连接到上述第一MOS晶体管(M2)的漏极的第二MOS晶体管(M3);漏极与输出晶体管(M1)的漏极相连接,栅极与第二MOS晶体管(M3)的栅极相连接,源极与第二端子(102)相连接的第三MOS晶体管(M4),误差放大电路(104)的输出经由信号处理电路(110或210)连接到第一MOS晶体管(M2)的源极。
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公开(公告)号:CN102156505B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201010613497.6
申请日:2010-12-24
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F3/26 , G05F3/242 , H03K3/0231 , H03K4/501
Abstract: 本发明涉及电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。本发明的目的在于提供以简单的结构来补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。所述电流源电路的特征在于,包含:由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路;与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接,作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1);与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。
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公开(公告)号:CN102403887A
公开(公告)日:2012-04-04
申请号:CN201110276967.9
申请日:2011-09-08
Applicant: 三美电机株式会社
Abstract: 本发明提供即使在由于异常而输出短路的情况下也能实施软启动的稳压器以及DC/DC变换器。稳压器(100)具备:使输入到误差放大器(110)的基准电压从0V慢慢升高到基准电压的软启动电路(120);监视误差放大器(110)的输入,在输出端子Vo的输出短路时使软启动电路(120)再次软启动的软启动复位电路(130)。软启动复位电路(130)具备:与误差放大器(110)的输入平行地设置的比较器(131);对比较器(131)的输入赋予偏移的偏移电压(132);根据比较器(131)的比较结果进行导通截止,在输出短路时导通,将电容器C放电的NPN晶体管(133)。
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公开(公告)号:CN118631060A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410223150.2
申请日:2024-02-28
Applicant: 三美电机株式会社
Inventor: 高野阳一
Abstract: 电源用半导体集成电路以及电源装置,减少构成旁路电容器的陶瓷电容器的数量。电源用半导体集成电路中设置有:第一外部端子,其配置在外部,连接有一个端子与电源输入端子连接的第一电容器的另一个端子;第二外部端子,其配置在外部,连接有一个端子与电源输入端子连接的第二电容器的另一个端子;检测第一外部端子的电压的第一检测部;检测第二外部端子的电压的第二检测部;设置在第一外部端子与接地端子之间的第一切换单元及设置在第二外部端子与接地端子之间的第二切换单元,第一切换单元接收来自第一检测部的信号而将第一电容器的另一个端子从接地电位切断,第二切换单元接收来自第二检测部的信号而将第二电容器的另一个端子从接地电位切断。
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公开(公告)号:CN117955225A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202311378095.6
申请日:2023-10-24
Applicant: 三美电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路装置。提供一种负载开关IC,当负载开关断开时,可迅速使向负荷供给的电源下降。半导体集成电路装置具有:开关用晶体管,其连接在被输入直流电压的电压输入端子与电压输出端子之间;放电用晶体管,其连接在电压输出端子与接地点之间;外部端子,其被输入控制信号;以及控制电路,其根据所述控制信号将开关用晶体管和放电用晶体管控制为导通状态或截止状态,其中,控制电路具有:逻辑电路,其生成信号,该信号在输入到外部端子的控制信号成为第一逻辑电平时,将开关用晶体管控制为导通状态,将放电用晶体管控制为截止状态,在控制信号成为第二逻辑电平时,将开关用晶体管控制为截止状态,将放电用晶体管控制为导通状态。
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