公开(公告)号：CN101714538A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910179123.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 及川贵弘

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其目的为抑制半导体器件在使用时因为热所导致的翘曲，以提升半导体器件的可靠性。本发明的半导体器件是在构成纵型MOS晶体管的半导体衬底(10)的表面上，形成有与源极区域连接的源极电极连接部(18)。在源极电极连接部(18)形成有通过镀覆法所形成的表面电极(23)。在表面电极(23)连接有凸块电极(31)，而表面电极(23)由露出凸块电极(31)的保护膜(26)所覆盖。另一方面，在半导体衬底(10)的背面上，形成有与漏极区域连接的背面电极(30)。表面电极(23)与背面电极(30)由具有相同线膨胀系数的金属所构成，较佳为铜所构成。此外，表面电极(23)与背面电极(30)较佳为具有相同厚度，或大略相同厚度。

公开(公告)号：CN100573909C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200610171901.2

申请日：2006-12-06

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 及川贵弘

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/28

Abstract: 一种半导体装置，目的是谋求半导体装置的低电阻化，其特征在于，具有与第一金属膜(18)抵接的在半导体层上形成的贯通孔(10)；在所述贯通孔(10)的侧壁部上形成的绝缘膜(12)；在不形成所述绝缘膜(12)的所述贯通孔(10)的底部的第一金属膜(18)上和所述半导体层上形成的第二金属膜(13)；在所述贯通孔(10)内的所述绝缘膜(12)以及第一金属膜(18)上形成的阻挡层金属膜(14)以及通过所述阻挡层金属膜(14)在所述贯通孔内形成的配线层(15)。