公开(公告)号：CN115703943B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202210845890.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李汉松 ,  郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D5/25 ,  C09D1/00 ,  C08G77/62

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。

公开(公告)号：CN115703943A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210845890.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李汉松 ,  郭泽秀 ,  金义贤 ,  裵鎭希 ,  司空峻 ,  李忠宪 ,  任浣熙 ,  张胜宇 ,  赵炫洙 ,  黄丙奎

IPC: C09D183/16 ,  C09D5/25 ,  C09D1/00 ,  C08G77/62

Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。

公开(公告)号：CN109957261B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201811353793.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  黄丙奎 ,  卢健培 ,  司空峻 ,  徐珍雨 ,  张俊英

IPC: C09D1/00 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开一种用于形成包含含硅聚合物和溶剂的二氧化硅层的组合物、由其制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置，其中二氧化硅(SiO2)转化率约大于0且约小于或等于15。二氧化硅转化率由关系等式1计算：[关系等式1]二氧化硅转化率＝(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受24小时的Si‑O/Si‑H的面积比)‑(通过以6700埃的厚度将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在裸露晶片上且允许在85℃的温度和85％的相对湿度的条件下承受2小时的Si‑O/Si‑H的面积比)。

公开(公告)号：CN110903764A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201811610012.0

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 裵鎭希 ,  郭泽秀 ,  李忠宪 ,  黄丙奎 ,  司空峻 ,  卢健培 ,  任浣熙 ,  赵炫洙

IPC: C09D183/16 ,  C09D183/14 ,  C09D1/00

Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。