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公开(公告)号：CN114301421A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202110770768.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种体声波滤波器装置。所述体声波滤波器装置包括：基板；谐振部，在所述基板与所述谐振部之间设置有腔；以及盖，被构造为与所述基板一起形成内部空间，其中，填充气体填充在所述腔和由所述基板和所述盖形成的所述内部空间中的至少一者中，所述填充气体包括氢气和氦气中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114095044A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110446594.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种电容器电路及包括该电容器电路的可变电容系统，所述电容器电路包括第一电容器组和第二电容器组。所述第一电容器组包括彼此并联连接的p个开关‑电容器电路，其中，p是2或更大的自然数，其中，所述p个开关‑电容器电路之中的至少两个开关‑电容器电路具有基于第一权重的相互不同的电容值。所述第二电容器组包括彼此并联连接的q个开关‑电容器电路，其中，q是大于p的自然数，其中，所述q个开关‑电容器电路中的至少两个开关‑电容器电路具有基于与所述第一权重不同的第二权重的相互不同的电容值。
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公开(公告)号：CN112802828A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011082331.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L23/66 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01Q1/22
Abstract: 本发明提供一种具有射频模块的电子装置，一种射频装置包括所述射频模块。所述射频模块包括第一基板、第二基板、射频集成电路(RFIC)、前端集成电路(FEIC)和柔性基板。所述RFIC的至少一部分被第一芯构件围绕，并且所述RFIC被构造为输入或输出基础信号和第一射频(RF)信号，所述第一RF信号具有比所述基础信号的频率的高的频率。所述FEIC的至少一部分被第二芯构件围绕，并且所述FEIC被构造为输入或输出所述第一RF信号和第二RF信号，所述第二RF信号具有与所述第一RF信号的功率不同的功率。所述柔性基板被构造为将所述第一基板和所述第二基板彼此连接，为所述第一RF信号提供传输路径，并且比所述第一基板和所述第二基板柔韧。
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公开(公告)号：CN110417370A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910042692.9
申请日：2019-01-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供具有多输入多输出(MIMO)结构的低噪声放大器电路。低噪声放大器电路包括：第一低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第一频带信号和第二频带信号之中的频带信号；第二低噪声放大器，包括与并联共源极结构叠接的共栅极结构以选择性地放大第三频带信号和第四频带信号之中的频带信号；输出DPDT电路，包括：连接到第一低噪声放大器的第一输入端、连接到第二低噪声放大器的第二输入端、用于选择性地输出通过第一输入端和第二输入端输入的信号的第一输出端和第二输出端；控制电路，响应于预定的通信方案，对第一低噪声放大器和第二低噪声放大器执行放大控制，对输出DPDT电路执行切换控制。
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公开(公告)号：CN110138369A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910084196.X
申请日：2019-01-29
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/284 , H03K17/687
Abstract: 本发明提供一种射频开关装置。所述射频开关装置包括：开关电路，包括第一晶体管和第二晶体管；栅极电阻器电路，包括第一栅极电阻器和第二栅极电阻器，第一栅极电阻器连接到第一晶体管的栅极并且第二栅极电阻器连接到第二晶体管的栅极；栅极缓冲器电路，包括第一栅极缓冲器和第二栅极缓冲器，第一栅极缓冲器连接到第一栅极电阻器以通过第一栅极电阻器向第一晶体管提供第一栅极信号，第二栅极缓冲器连接到第二栅极电阻器以通过第二栅极电阻器向第二晶体管提供第二栅极信号；以及延迟电路，用于产生具有第一开关时间的第一栅极信号以及具有不同于第一开关时间的第二开关时间的第二栅极信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102315824A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110049700.6
申请日：2011-02-28
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/45179 , H03F2200/204 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2203/45562 , H03F2203/45644
Abstract: 提供了一种降低增益失配的功率放大器，以便通过交叉连接来自具有采用堆叠结构的放大单元的功率放大器中的两级放大单元的输出来降低N MOS放大器和P MOS放大器之间的增益失配，在所述堆叠结构中，N MOS放大器和P MOS放大器彼此串联连接。
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公开(公告)号：CN101231536A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810002379.4
申请日：2008-01-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: G05F3/24
CPC classification number: H03F1/301
Abstract: 本发明提供了一种能够通过产生具有多个温度系数的偏流来向具有根据温度而产生的各种特性变化的模拟电路和RF电路之一提供补偿有特性变化的偏流的偏流发生装置。该装置包括：正温度系数电流发生器，产生与绝对温度成正比的正温度系数电流；零温度系数电流发生器，产生与绝对温度无关的零温度系数电流常数；以及可调节温度系数电流发生器，通过将正温度系数电流放大A倍，将零温度系数电流放大B倍，以及将两个放大的温度系数电流相加来产生可调节温度系数电流并将其输出，其中，可调节温度系数电流的系数通过调节A和B的大小而改变。
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公开(公告)号：CN1505272A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN03122199.8
申请日：2003-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H04N5/4446 , H04B1/16
Abstract: 本发明涉及一种利用对压控振荡器的频率信号进行分频的分频方法来扩展频率产生范围的宽带频率产生装置。装置包括：振荡器单元，产生预定频率信号，混频器，具有与振荡器单元连接的第一输入端，通过将预定频率信号与从混频器的第二输入端输入的信号进行混频，产生差信号，第一开关，在导通/断开之间切换，并将预定频率信号连接到混频器的输出端，第二开关，在导通/断开之间切换，并将混频器的输出连接到混频器的第二输入端，形成反馈回路，1/2分频器，对混频器的输出进行1/2分频，产生分频信号，第三开关，在导通/断开之间切换，并将1/2分频器的分频信号连接到混频器单元的第二输入端，以及控制逻辑单元，产生导通/断开控制信号，根据选择的频率产生范围，切换混频器、第一开关、第二开关、第三开关的导通/断开。
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公开(公告)号：CN110445469B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201910128478.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种放大设备及可变增益控制方法，该放大设备包括：放大电路，被构造为包括堆叠的第一晶体管和第二晶体管，并且被配置为在放大模式下的操作期间放大从输入端子输入的信号并将放大的信号提供给输出端子；以及负反馈电路，包括第一子负反馈电路至第n子负反馈电路，所述第一子负反馈电路至第n子负反馈电路中的每个对应于包括在所述放大模式中的单独的增益模式，其中，所述负反馈电路被配置为提供可变电阻值，以基于所述单独的增益模式中的每个确定负反馈增益。
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公开(公告)号：CN113872581A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110495720.X
申请日：2021-05-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/56
Abstract: 提供一种射频开关。所述射频开关被配置为切换输入到第一端子的射频信号。所述射频开关包括：第一晶体管，设置在距所述第一端子第一距离处，并且被配置为切换所述射频信号；以及第二晶体管，设置在距所述第一端子第二距离处，并且被配置为切换所述射频信号。所述第一距离比所述第二距离短，并且形成在所述第一晶体管的第一电极上的第一接触过孔的数量大于形成在所述第二晶体管的第二电极上的第二接触过孔的数量。
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