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公开(公告)号：CN1816859A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018848.1
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/2403 , G11B7/24065 , G11B7/258 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括支撑基板(11)、透光层(12)、和插入到所述透光层(12)和所述支撑基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。所述支撑基板(11)的厚度为0.6mm到2.0mm；所述透光层(12)的厚度为10μm到200μm；所述贵金属氧化物层(23)的厚度为2nm到50nm；所述第二电介质层(32)的厚度为5nm到100nm；所述光吸收层(22)的厚度为5nm到100nm；并且所述第三电介质层(33)的厚度为10nm到140nm。因此，在采用针对下一代光学记录介质的光学系统进行超解析记录和再现时可获得优良的特性。
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公开(公告)号：CN1816857A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018579.9
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00452 , G11B2007/24304 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，第三介电层(3)，光吸收层(4)，第二介电层(5)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(6)，第一介电层(7)，和光透射层(8)，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(8)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(6)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，因此通过由此产生的氧气在分解反应层(6)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(6)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN100411032C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60%至100%。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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公开(公告)号：CN100361216C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200480018579.9
申请日：2004-06-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00452 , G11B2007/24304 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 本发明的目的是提供一种光学记录盘，包括：衬底(2)，第三介电层(3)，光吸收层(4)，第二介电层(5)，含有氧化铂作为主要成分的分解反应层(6)，第一介电层(7)，和光透射层(8)，并且构成该光学记录盘，使得在从光透射层(8)这一侧用激光束(20)照射光学记录盘时，在分解反应层(6)中作为主要成分所含的氧化铂被分解成铂和氧，因此通过由此产生的氧气在分解反应层(6)中形成泡状凹坑，并且贵金属的细小颗粒沉淀在泡状凹坑内，由此在分解反应层(6)中形成了记录标志。
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公开(公告)号：CN101009117A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610001775.6
申请日：2006-01-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/243 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光学记录介质包含一个层叠体，其中在该层叠体的记录层7和光吸收层5之间至少插入一个电介质层6，该光学记录介质被构成为来再现用记录标记串记录的数据，其中的记录标记串包含长度小于解析极限的记录标记。为了再现记录的数据，该光学记录介质的反射率为20％到80％，且以5.6×108W/m2到1.2×1010W/m2的功率密度照射激光束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1836280A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023616.5
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24065
Abstract: 一种光学记录介质(10)，设有支撑基板(11)和透光层(12)，以及，在透光层(12)与支撑基板(11)之间进一步具有电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。第二电介质层(32)包含ZnS或者ZnS和SiO2的混合物作为主要成分，并且在其中将ZnS占ZnS和SiO2总量的比设定成摩尔百分比60％至100％。因为第二电介质层(32)的材料具备较高的硬度和柔软性两者，除此之外还具有较高的热传导率，能达到热传导率与层硬度的良好平衡，所以，可以用精确形状形成精细的记录标记。
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公开(公告)号：CN101300624B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680040936.0
申请日：2006-12-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/00736 , G11B7/1267 , G11B20/10055
Abstract: 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
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公开(公告)号：CN100373467C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200480018847.7
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00452 , G11B7/24038 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括基板(11)、透光层(12)，和插入到所述透光层(12)和所述基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。当将激光束(40)施加到透光层(12)侧时，将数据记录/再现。当λ为激光束(40)的波长并且NA为物镜的数值孔径时，将λ/NA设置为640nm或更小。当Pw和Pr分别为所述激光束(40)的记录功率和再现功率时，设置Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.5。因此，记录包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记序列和从所述记录标记序列再现数据。
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公开(公告)号：CN1839433A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480024159.1
申请日：2004-08-12
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B7/00452 , G11B7/00736 , G11B7/24065 , G11B7/243
Abstract: 本发明公开了一种光学记录介质，包括：支撑基板(11)和透光层(12)，以及，当从透光层侧观看，以下述次序在透光层与支撑基板(11)之间进一步设置的电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、电介质层(32)、光吸收层(22)和电介质层(33)。透光层(22)包含由下式表示的材料作为主要成分(SbaTe1－a)1－bMAb(其中，MA是除锑(Sb)和碲(Te)之外的元素，0＜a＜1且0≤b＜1=，此外，该材料区别于由下式表示的金属互化物{(GeTe)c(Sb2Te3)1－c}dMB1－d(其中，MB是除锑(Sb)、碲(Te)和锗(Ge)之外的元素，c为1/3、1/2或2/3，且0＜d≤1)。
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公开(公告)号：CN1816850A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018847.7
申请日：2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/125 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/00454 , G11B7/00452 , G11B7/24038 , G11B7/24065 , G11B7/243 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715
Abstract: 一种光学记录介质(10)包括基板(11)、透光层(12)，和插入到所述透光层(12)和所述基板(11)之间的第一电介质层(31)、贵金属氧化物层(23)、第二电介质层(32)、光吸收层(22)、第三电介质层(33)、和反射层(21)。当将激光束(40)施加到透光层(12)侧时，将数据记录/再现。当λ为激光束(40)的波长并且NA为物镜的数值孔径时，将λ/NA设置为640nm或更小。当Pw和Pr分别为所述激光束(40)的记录功率和再现功率时，设置Pw×0.1≤Pr≤Pw×0.5。因此，记录包括长度为λ/4NA或更小的记录标记的记录标记序列和从所述记录标记序列再现数据。
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