公开(公告)号：CN108102654B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。

公开(公告)号：CN108231573A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711223730.8

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 金秀珍 ,  李孝善 ,  裵珍惠 ,  林廷训 ,  崔容在

IPC: H01L21/306 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明涉及蚀刻组合物及通过使用其制造半导体器件的方法。蚀刻组合物可包括过乙酸混合物、氟化合物、有机溶剂(例如乙酸酯系有机溶剂)和水。蚀刻组合物可用于选择性地蚀刻硅‑锗(SiGe)。

公开(公告)号：CN108102654A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711188427.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式公社

Inventor： 李轸雨 ,  金建伶 ,  韩勋 ,  林廷训 ,  李珍旭 ,  朴宰完

IPC: C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  H01L21/311

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  C09K13/04

Abstract: 本发明涉及蚀刻剂组合物以及使用其制造集成电路器件的方法。蚀刻剂组合物包括无机酸、硅氧烷化合物、铵化合物和溶剂，其中所述硅氧烷化合物由通式(I)表示。制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成结构体，所述结构体具有氧化物膜和氮化物膜暴露于其上的表面；和通过使所述蚀刻剂组合物与所述结构体接触而从所述氧化物膜和所述氮化物膜选择性地除去所述氮化物膜。