公开(公告)号：CN110060942B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN108109941A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711191153.9

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金仁基 ,  金舒玄 ,  金兑洪 ,  李晓山

IPC: H01L21/67 ,  C11D1/66

Abstract: 一种清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种清洗装置包括接收基板的卡盘、用于将清洗组合物提供到基板上的喷嘴。该清洗装置还包括将清洗组合物供应到喷嘴的化学溶液供应单元。该化学溶液供应单元混合清洗组合物以产生清洗颗粒。清洗组合物包括表面活性剂、去离子(DI)水和有机溶剂。表面活性剂具有从约0.03M到约0.003M的浓度。一种制造半导体器件的方法包括处理基板、形成层间绝缘层、抛光层间绝缘层、以及将清洗组合物提供到层间绝缘层上以去除第一颗粒。

公开(公告)号：CN107301946A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710243397.0

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彩姈 ,  金兑洪 ,  吴政玟 ,  金荣俊 ,  金仁基 ,  尹普彦 ,  李晓山 ,  韩率

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/20 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67023

Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。

公开(公告)号：CN104051299A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN118685773A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410334456.5

申请日：2024-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄圭荣 ,  姜炳俊 ,  金大铉 ,  金圣玟 ,  朴美贤 ,  吴政玟 ,  咸喆

IPC: C23F1/14 ,  C23F1/16 ,  C23F1/26 ,  C23F1/30 ,  C23F1/20 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213 ,  C09K13/00

Abstract: 蚀刻组合物可包括氧化剂、铵盐、水性溶剂和促进剂，所述铵盐包括铵阳离子和有机阴离子，所述促进剂包括第一促进剂和第二促进剂，所述第一促进剂和所述第二促进剂彼此不同，并且所述第一促进剂和所述第二促进剂各自包括由下式A表示的基团、由下式B表示的基团和由下式C表示的基团的至少一个，其中Y1、T1、T1a和A1如本说明书中所定义的。可使用该蚀刻组合物进行蚀刻含金属的膜的方法，并且可使用该蚀刻组合物进行制造半导体器件的方法。#imgabs0#

公开(公告)号：CN107301946B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201710243397.0

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彩姈 ,  金兑洪 ,  吴政玟 ,  金荣俊 ,  金仁基 ,  尹普彦 ,  李晓山 ,  韩率

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种用于从基板去除粒子的清洁装置。该清洁装置包括：第一清洁单元，包括将第一化学液体和第一喷雾供应到基板的第一双喷嘴，第一喷雾包括溶解第一化学液体的第一液体；以及第二清洁单元，包括将不同于第一化学液体的第二化学液体和第二喷雾供应到基板的第二双喷嘴，第二喷雾包括溶解第二化学液体并且与第一液体相同的第二液体。

公开(公告)号：CN111410963B

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202010025962.8

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东友精细化工有限公司

Inventor： 全唱守 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  申东雲

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种硅层刻蚀剂组合物、制备其的方法及形成图案的方法，所述组合物包含约1重量％到约20重量％的烷基氢氧化铵；约1重量％到约30重量％的胺化合物；约0.01重量％到约0.2重量％的包括疏水基团及亲水基团两者的非离子表面活性剂；以及水，所有重量％都是基于所述硅层刻蚀剂组合物的总重量。

公开(公告)号：CN110120358A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN110060942A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN104051299B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。