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公开(公告)号：CN119225111A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410290458.9
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局；以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括：在所述设计图案的轮廓上生成形状点；产生所述形状点的散列值；选择代表第一形状点的第一独特形状点；确定所述第一独特形状点的第一校正偏置；以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括：生成目标形状点周围的查询范围；以及基于所述查询范围内的几何分析，产生所述散列值。
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