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公开(公告)号：CN117083570A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202280025083.2
申请日：2022-03-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成即使是膜厚为10nm以下等，与以往相比厚度薄的抗蚀剂下层膜也获得没有图案坍塌的良好的抗蚀剂图案的含有硅的抗蚀剂下层膜的、含有硅的下层膜形成用组合物。解决手段是下述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷，上述[A]聚硅氧烷的由凝胶渗透色谱(GPC)分析得到的以聚苯乙烯换算获得的重均分子量为1,800以下，并且，在由凝胶渗透色谱(GPC)分析得到的以聚苯乙烯换算获得的积分分子量分布曲线中分子量超过2,500的比例小于20％；以及[B]溶剂。
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公开(公告)号：CN115362413A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026667.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供获得能够作为具有对作为上层而形成的抗蚀剂膜用的组合物的溶剂的耐性、对氟系气体的良好的蚀刻特性、进一步良好的光刻特性的抗蚀剂下层膜而良好地起作用的膜的组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其特征在于，是包含使用包含2种以上酸性基的酸性化合物将水解性硅烷化合物水解和缩合而获得的水解缩合物、和溶剂的膜形成用组合物，上述水解性硅烷化合物包含下述式(1)所示的含有氨基的硅烷。(在式(1)中，R1为与硅原子结合的基团，彼此独立地表示包含氨基的有机基，R2为与硅原子结合的基团，表示可以被取代的烷基、可以被取代的芳基、可以被取代的芳烷基、可以被取代的卤代烷基、可以被取代的卤代芳基、可以被取代的卤代芳烷基、可以被取代的烷氧基烷基、可以被取代的烷氧基芳基、可以被取代的烷氧基芳烷基、或可以被取代的烯基，或表示包含环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基或氰基的有机基，R3为与硅原子结合的基团或原子，彼此独立地表示烷氧基、芳烷基氧基、酰氧基或卤原子，a为1～2的整数，b为0～1的整数，满足a+b≤2。)R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118647935A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020468.4
申请日：2023-02-17
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/20 , H01L21/027
Abstract: 一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成在含有金属的抗蚀剂膜与基板之间形成的含有硅的抗蚀剂下层膜，所述含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物含有：[A]成分：聚硅氧烷；以及[C]成分：溶剂，上述聚硅氧烷包含来源于下述式(A‑1)所示的水解性硅烷(A)的结构单元。(在式(A‑1)中，a表示1～3的整数。b表示0～2的整数。a+b表示1～3的整数。R1表示具有不饱和键并且具有环结构的有机基。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118159910A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202280071698.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其在半导体基板等的加工工序中，不仅能够利用以往的干式蚀刻的方法，还能够利用使用稀氢氟酸、缓冲氢氟酸和碱性药液等药液的湿式蚀刻的方法进行剥离，特别是对碱性药液(碱性药液)显示优异的可溶性；另外，提供一种用于形成保存稳定性优异且干式蚀刻工序中的残渣少的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含水解性硅烷混合物的水解缩合物，所述水解性硅烷混合物包含下述式(1)所示的水解性硅烷或下述式(2)所示的水解性硅烷，所述含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物用于形成在碱性药液中显示可溶性的含硅抗蚀剂下层膜。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1)式(1)中，R1为键合于硅原子的基团，且表示包含琥珀酸酐骨架的有机基团。R4aR5bSi(R6)4‑(a+b) (2)式(2)中，R4为键合于硅原子的基团，且表示下述式(2‑1)所示的一价基团。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116868318A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015569.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。
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公开(公告)号：CN116547781A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180079667.3
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供可以抑制在形成涂布膜时可能发生的微小粒子等引起的缺陷产生的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷；[B]标准沸点为230.0℃以上，并且，下述式(1)所示的二醇化合物：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或碳原子数3～4的酰基，n表示3以上的整数)；以及[C]溶剂(但是相当于[B]化合物的化合物除外)。
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公开(公告)号：CN109790414B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4‑a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1～2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3‑甲氧基丁醇。
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