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公开(公告)号：CN112041746A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201980025380.5
申请日：2019-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板上形成0.10μm以下的抗蚀剂图案前涂布于基板来增强基板与抗蚀剂图案的密合的抗蚀剂图案用表面改性剂，其特征在于，其包含下述平均组成式(1)所示的化合物、其水解物和水解缩合物中的至少1种。R己1烯aR基2b(等O，Xn)为cS0iO～(44‑的a‑b整‑c)数/2 ，(R1)2为(式C中1～，R4的1为一‑价(C烃H2基)n，YX基为，氢Y为原环子或C1～4的一价烃基，a为1～2的数，b为0～1的数，c为0～2的数，a+b+c≤4。)。
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公开(公告)号：CN109891321A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780066716.3
申请日：2017-10-25
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种含有硅的抗蚀剂下层膜，是可以在光刻工序作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜，其能够通过使用了化学溶液的湿式法、特别是SPM(硫酸与过氧化氢水的混合水溶液)来除去。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含：在全部水解性硅烷中以10～90摩尔％的比例包含具有环氧基的水解性硅烷的水解性硅烷的利用碱性物质水溶液而获得的水解缩合物，包含该水解缩合物的反应体系中进一步包含含有有机基的水解缩合物，所述有机基具有利用无机酸或阳离子交换树脂进行的环氧基的开环反应而产生的二羟基。是将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于基板进行烧成后获得的抗蚀剂下层膜，该抗蚀剂下层膜能够用以1：1～4：1的H2SO4/H2O2的质量比包含硫酸和过氧化氢的水溶液来除去。
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公开(公告)号：CN112513738B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
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公开(公告)号：CN116868318A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015569.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/312
Abstract: 本发明涉及一种具有薄膜的基板，该基板具有：所述薄膜，具有下述式(1)所示的化合物中的Si‑R1基；以及所述基板，在其表面配置有具有所述Si‑R1基的所述薄膜。Si(R1)(R2)n(R3)3‑n…式(1)(所述式(1)中，R1表示与Si键合的一价有机基团，R2表示与Si键合的一价有机基团，R3表示与Si键合的烷氧基、酰氧基或卤素原子，n表示0～2的整数，在n为2的情况下，R2可以相同也可以不同，在n为0或1的情况下，R3可以相同也可以不同。在n为1的情况下，R1和R2可以一起形成环结构)。
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公开(公告)号：CN116547781A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180079667.3
申请日：2021-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供可以抑制在形成涂布膜时可能发生的微小粒子等引起的缺陷产生的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：[A]聚硅氧烷；[B]标准沸点为230.0℃以上，并且，下述式(1)所示的二醇化合物：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基或碳原子数3～4的酰基，n表示3以上的整数)；以及[C]溶剂(但是相当于[B]化合物的化合物除外)。
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公开(公告)号：CN116419937A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202180076716.8
申请日：2021-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G65/38
Abstract: 提供能够响应即使不包含酸催化剂、交联剂也在低温下自固化、可以减少升华物量、可以获得弯曲耐性高的高硬度的膜这样的要求，并且，也可以作为交联剂而利用，如果作为交联剂利用则与现有的交联剂相比，显示高平坦化和高耐热性，而且，埋入性与现有品同等，光学常数、蚀刻耐性能够通过单体的选择而自由地变更的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)以及溶剂，上述聚合物(X)包含具有ROCH2‑基(R为一价有机基、氢原子或它们的混合)的芳香族化合物A、与不同于A的碳原子数120以下的芳香族化合物B经由连接基‑O‑交替地结合而得的重复结构单元，并且上述重复结构单元中相对于1个A结合了1～6个B。
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公开(公告)号：CN109790414B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/38 , C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4‑a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1～2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3‑甲氧基丁醇。
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公开(公告)号：CN113906084A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080038844.9
申请日：2020-03-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G77/04 , C09D5/00 , C08L83/04 , C09D183/06 , C09D183/08 , G03F7/11 , C09D7/63
Abstract: 本发明的课题是提供适合作为可以形成兼具对EUV抗蚀剂的良好的密合性、与良好的蚀刻加工性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物的、膜形成用组合物。解决手段是一种膜形成用组合物，其包含：在碱性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(A)；在酸性水解催化剂的存在下生成的水解性硅烷化合物的水解缩合物(B)；以及溶剂。
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公开(公告)号：CN109790414A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780061137.X
申请日：2017-10-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供针对将在被加工基板上形成的抗蚀剂图案转印到下层而得的有机下层膜的图案，在填埋其图案间隙的同时，形成平坦的膜的图案反转用被覆组合物。解决课题的手段是，用于被覆在将抗蚀剂图案转印到下层而成的有机下层膜的图案上的被覆组合物，该被覆组合物包含水解性硅烷的水解缩合物的硅烷醇基与醇反应而得的聚硅氧烷，所述水解性硅烷是在总硅烷中，分子内具有4个水解性基的水解性硅烷为50摩尔％～100摩尔％的比例的水解性硅烷。水解性硅烷以式(1)：R1aSi(R2)4-a表示，并且以50摩尔％～100摩尔％的比例包含式(1)中a为0的水解性硅烷，以0摩尔％～50摩尔％的比例包含a为1或2的水解性硅烷。醇是丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚或3-甲氧基丁醇。
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公开(公告)号：CN109563371A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780049797.6
申请日：2017-08-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D183/04 , C08G77/38 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/40
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为在被加工基板上形成平坦的膜而进行图案反转的被覆组合物、感光性组合物来利用的包含进行了缩醛保护的聚硅氧烷的组合物。解决手段是一种被覆组合物或感光性组合物，其包含聚硅氧烷，上述聚硅氧烷是将水解缩合物所具有的硅烷醇基进行缩醛保护而获得的，所述水解缩合物是分子内具有2～4个水解性基的水解性硅烷的水解缩合物，该水解缩合物的以Si-C键与硅原子结合的有机基平均以0≤(该有机基)/(Si)≤0.29的摩尔比比例存在。一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：在半导体基板上形成抗蚀剂膜的工序(A)；将上述抗蚀剂膜曝光，在曝光后将抗蚀剂显影而获得抗蚀剂图案的工序(B)；在被图案化了的抗蚀剂膜上涂布本件被覆用组合物而埋入聚硅氧烷的工序(C)；使埋入的该聚硅氧烷固化后，对抗蚀剂膜进行蚀刻而将图案反转的工序(D)；使用聚硅氧烷膜对基板进行加工的工序(E)。
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