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公开(公告)号：CN107663452B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710628516.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开量子点、其制造方法、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子装置。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上的壳，所述壳包括第二半导体纳米晶体和掺杂剂，其中所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述第二半导体纳米晶体包括锌(Zn)、硫(S)和硒，和所述掺杂剂包括锂、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的2A族金属、具有比Zn2+的有效离子半径小的有效离子半径的3A族元素、或其组合。
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公开(公告)号：CN113969165A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110839147.X
申请日：2021-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08J5/18 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L51/50
Abstract: 公开了量子点、以及包括其的量子点‑聚合物复合物和电子设备。所述量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯；在所述芯上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体包括III‑VI族化合物；和在所述第一壳上的包括第三半导体纳米晶体的第二壳，所述第三半导体纳米晶体具有与所述第二半导体纳米晶体的组成不同的组成；其中所述第一半导体纳米晶体和所述第三半导体纳米晶体之一包括III‑V族化合物。
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公开(公告)号：CN107017323B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201610842472.0
申请日：2016-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/58 , H01L33/50 , G02F1/13357
Abstract: 公开LED封装体、包括其的背光单元和发光装置、及包括背光单元的液晶显示器装置。所述LED封装体包括：LED；包括如下的堆结构体：与所述LED间隔开的光散射结构体，和设置在选自所述光散射结构体的内表面和外表面的至少一个表面上并且配置成将从所述LED发射的光转化成白色光的光转化层，其中所述光转化层包括半导体纳米晶体；和设置在所述光转化层的表面上的有机阻隔层。
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公开(公告)号：CN107369754B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710330399.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光转换装置、其制造方法、包括该光转换装置的光源模块以及包括光转换装置的背光单元。光转换装置包括：框架，通过该框架，入射光从光源接收并且转换的光从光转换装置发射，该框架包括开口和围绕开口的壁，通过该开口，从光源接收第一颜色的光，并且从该开口，第二颜色的光从光转换装置发射；基板，在开口中并由壁支撑；光转换层，设置在基板上并从光源接收第一颜色的光，光转换层包括将第一颜色的光转换成第二颜色的光的光转换颗粒；第一无机层，设置在光转换层上；以及第一有机层，设置在第一无机层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106893136B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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公开(公告)号：CN112750966A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011201636.4
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示设备。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中所述发光层包括设置在所述第一电极侧上并且包含第一量子点的第一发光层、以及设置在所述第二电极侧上并且包含第二量子点和n型金属氧化物的第二发光层。
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公开(公告)号：CN112447919A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010895949.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及发光器件和包括其的显示设备。发光器件包括：包括多个量子点的发射层、和设置在所述发射层上的电子辅助层，所述电子辅助层将电子传输至所述发射层，其中所述电子辅助层包括多个金属氧化物纳米颗粒，其中所述金属氧化物纳米颗粒包括锌和掺杂剂金属，其中所述掺杂剂金属包括Mg、Mn、Ni、Sn、Al、Y、Ga、Zr、Li、Co、或其组合，其中所述金属氧化物纳米颗粒的至少一个中的所述掺杂剂金属的浓度在从所述纳米颗粒的内部部分到外部部分的方向上增加，或者在从所述纳米颗粒的外部部分到内部部分的方向上增加。
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公开(公告)号：CN110858628A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910789697.8
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发光器件、其制造方法、和包括其的显示设备。所述发光器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，所述发射层包括量子点；以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电荷辅助层，其中所述发射层包括面对所述电荷辅助层的第一表面和相反的第二表面，所述量子点在其表面上包括第一有机配体，在所述发射层中，在邻近于所述第一表面的部分中的所述第一有机配体的量大于在邻近于所述第二表面的部分中的所述第一有机配体的量。
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公开(公告)号：CN110246973A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910173978.0
申请日：2019-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了量子点器件和显示设备，所述量子点器件包括阳极、设置在所述阳极上的空穴注入层、设置在所述空穴注入层上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括量子点的量子点层、和设置在所述量子点层上的阴极，其中所述空穴传输层包括空穴传输材料和电子传输材料，并且在所述量子点层和所述电子传输材料之间的LUMO能级差小于或等于约0.5eV。
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