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公开(公告)号:CN110556455A
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201910445913.7
申请日:2019-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了利用LED制造显示模块的方法。一种制造显示模块的方法,包括以下步骤:制备第一衬底结构,其包括含多个LED单元的发光二极管(LED)阵列、连接至第一和第二导电类型的半导体层的电极焊盘和覆盖LED阵列的第一键合层;制备第二衬底结构,其包括布置在第二衬底上的多个薄膜晶体管(TFT)单元,并且每个TFT单元具有源极区、漏极区和布置在它们之间的栅电极,通过形成电路区和通过形成覆盖电路区的第二键合层来提供第二衬底结构,其中,布置为分别对应于电极焊盘的连接部分暴露于第二衬底结构的一个表面;分别将第一键合层和第二键合层平面化;以及将第一衬底结构和第二衬底结构彼此键合。
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公开(公告)号:CN109962081A
公开(公告)日:2019-07-02
申请号:CN201811207297.3
申请日:2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种发光器件封装包括:第一波长转换部和第二波长转换部,转换入射光的波长以提供具有转换波长的光;透光分隔结构,沿着厚度方向沿着第一波长转换部和第二波长转换部的侧表面延伸,以将第一波长转换部和第二波长转换部沿着与厚度方向相交的方向分离;以及包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件的单元阵列,沿着厚度方向分别与第一波长转换部、第二波长转换部和透光分隔结构重叠。
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公开(公告)号:CN107123717A
公开(公告)日:2017-09-01
申请号:CN201710107360.5
申请日:2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种制造发光器件封装件的方法。该方法包括:制备包括一个或多个光阻挡区和一个或多个波长转换区的薄膜条;制备发光器件,每个发光器件包括一个或多个发光区;将薄膜条键合至发光器件,以将一个或多个波长转换区放置在发光器件中的每一个的一个或多个发光区上;以及将薄膜条和发光器件切割成分离的器件单元。
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公开(公告)号:CN118448547A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202410126584.0
申请日:2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括:第一导电类型半导体层;第二导电类型半导体层,其布置在第一导电类型半导体层上;有源层;电极层,其形成在第二导电类型半导体层的顶表面上;反射层,其形成在电极层的顶表面的一部分上;接合焊盘,其形成在反射层的顶表面上;绝缘层,其形成在电极层的顶表面的另一部分上;以及绝缘间隔件,其沿着衬底的表面共形地形成。反射层包括不被水溶液蚀刻的材料,水溶液包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、KOH、NaOH和NH4OH中的一种,并且接合焊盘具有外壳形状,该外壳形状包括其宽度随着其远离反射层而逐渐减小的部分。
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公开(公告)号:CN109920813B
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN201811206670.3
申请日:2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法,包括:形成单元阵列,该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域,该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层,该单元阵列具有与衬底接触的第一表面;通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面;在分离区域中的第一表面上形成晶种层;在发光器上形成光致抗蚀剂图案,使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层;通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构,该分隔结构分离发光器;通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口,使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来;以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号:CN107134469B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201710126385.X
申请日:2017-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示,该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括:彼此间隔开的多个发光结构;位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层;构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层;位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层;以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。
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公开(公告)号:CN109920813A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201811206670.3
申请日:2018-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造发光器件封装的方法,包括:形成单元阵列,该单元阵列包括半导体发光器以及分离区域,该半导体发光器包括衬底上的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层以及有源层,该单元阵列具有与衬底接触的第一表面;通过去除衬底来暴露出分离区域的第一表面;在分离区域中的第一表面上形成晶种层;在发光器上形成光致抗蚀剂图案,使得光致抗蚀剂图案暴露出晶种层;通过镀覆光致抗蚀剂图案暴露出的区域来形成分隔结构,该分隔结构分离发光器;通过去除光致抗蚀剂图案来形成分隔结构的发光窗口,使得发光器在发光窗口的下端处暴露出来;以及通过用波长转换材料填充发光窗口来形成波长转换器。
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公开(公告)号:CN109119408A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810935119.6
申请日:2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管,其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层,并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光,并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光,并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号:CN108695355A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810234077.3
申请日:2018-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/153 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L27/156 , F21K9/232 , F21V19/001 , F21Y2115/10
Abstract: 一种半导体发光装置包括:多个发光单元,其包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层;绝缘层,其位于所述多个发光单元上,并且在所述多个发光单元中的每一个中,绝缘层具有第一开口和第二开口,所述第一开口和第二开口分别限定第一导电类型半导体层的第一接触区和第二导电类型半导体层的第二接触区;连接电极,其位于绝缘层上,并且将第一接触区与第二接触区连接,以将所述多个发光单元彼此电连接;透明支承衬底,其位于绝缘层和连接电极上;以及透明键合层,其位于绝缘层与透明支承衬底之间。
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