公开(公告)号：CN1550861A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410062130.4

申请日：1998-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑柄厚 ,  黄长元 ,  裵秉成

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1255

Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；第一金属图案，形成于衬底上；第二金属图案，由与第一金属图案相同的层制成，并且与第一金属图案隔开；一硅层，形成于第一金属图案和第二金属图案之上，包括分别接至第一金属图案和第二金属图案的一源极区和一漏极区；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极，形成于栅极绝缘层上，并且位于源极区和漏极区之间；和一存储电极，形成于栅极绝缘膜上，并且位于第二金属图案对面。

公开(公告)号：CN1550837A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410062131.9

申请日：1998-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑柄厚 ,  黄长元 ,  裵秉成

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1255

Abstract: 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法，液晶显示装置包括：一绝缘衬底；一硅层，形成于衬底上，并且包括一源极区和一漏极区以及位于源极区与漏极区之间的沟道区；一栅极绝缘膜，覆盖硅层；一栅电极和一存储电极，它们形成于栅极绝缘膜上；一个层间绝缘膜，它覆盖栅电极和存储电极，具有位于存储电极之上的第一部分，该第一部分的厚度比层间绝缘膜其余部分的厚度小；以及一像素电极，它接至漏极区，并且形成于存储电极对面的层间绝缘膜之上。

公开(公告)号：CN1157772C

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN99109464.6

申请日：1999-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱亨 ,  洪雯杓 ,  尹灿宙 ,  郑柄厚 ,  黄长元

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 利用具有P-沟道薄膜晶体管和N-沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同，可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜，可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。

公开(公告)号：CN1241025A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99109464.6

申请日：1999-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李柱亨 ,  洪雯杓 ,  尹灿宙 ,  郑柄厚 ,  黄长元

IPC: H01L21/70

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 利用具有P－沟道薄膜晶体管和N－沟道薄膜晶体管的聚硅型薄膜晶体管液晶显示器中上栅极层与下栅极层之间蚀刻率的不同,可以形成带下凹之下栅极层的双栅极层。通过在N+离子注入过程中用上栅极层作为离子注入掩膜,可以很容易形成LDD结构。由上栅极层与下栅极层之间扭曲的大小确定LDD的尺寸。可以省去为了掩膜离子注入所需的额外光刻步骤。