公开(公告)号：CN105428515A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510440995.8

申请日：2015-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金光镐 ,  梁峻赫 ,  高亨宗 ,  金世基 ,  朴浩辰 ,  安世罗

IPC: H01L35/00 ,  H01L35/34 ,  H01L25/00

Abstract: 提供了热电元件和包括热电元件的半导体装置。热电元件提供如下。第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构设置在半导体基底上。每个半导体鳍结构沿第一方向延伸，从半导体基底突出。第一半导体纳米线和第二半导体纳米线分别设置在第一半导体鳍结构和第二半导体鳍结构上。第一半导体纳米线包括第一杂质。第二半导体纳米线包括与第一杂质不同的第二杂质。第一电极连接到第一半导体纳米线的第一端和第二半导体纳米线的第一端。第二电极连接到第一半导体纳米线的第二端。第三电极连接到第二半导体纳米线的第二端。

公开(公告)号：CN1822498B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200510121675.2

申请日：2005-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高亨宗

IPC: H03H11/04

CPC classification number: H04B3/145 ,  G11B20/10009 ,  G11B20/10046 ,  H03H11/0444 ,  H03H11/0472 ,  H03H11/08

Abstract: 本发明涉及一种均衡器和均衡方法，其中均衡器可以包括n(这里n是一个≥2的整数)个双四倍电路，每一个包括输入节点、双四倍带通节点和双四倍低通节点；第一求和电路，对第n个双四倍电路的双四倍带通节点的输出和第n双四倍电路的双四倍低通节点的输出求和；第二求和电路，从第一求和电路的输出减去第(n-1)双四倍电路的双四倍低通节点的输出，并且用一恒量放大求和结果；第三求和电路，对第二求和电路的输出和第n双四倍电路的双四倍低通节点的输出求和，其中，n个双四倍电路可以是每个具有以自反馈方式连接到相应n个双四倍电路的双四倍带通节点的跨导体的Gm-C双四倍电路。均衡器可增大滤波器带宽和/或保持特定放大增益，同时降低电路尺寸。