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公开(公告)号：CN114716998A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210001385.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及组合物和包括其的有机发光器件。组合物包括第一化合物、第二化合物、和第三化合物，其中所述第一化合物、第二化合物、和第三化合物彼此不同，所述第一化合物满足如本文中描述的条件1和条件2之一，且所述第二化合物包括由式1表示的化合物，其中环A1为其中3个或更多个环状基团彼此稠合的稠环基团，并且所述3个或更多个环状基团各自为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；a1为1‑5的整数；b1为3‑10的整数；并且L1、R1和R2如本文中所描述的。式1
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公开(公告)号：CN114188350A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110881963.7
申请日：2021-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/1157
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件和包括半导体器件的电子系统。所述半导体器件，包括：衬底上的栅电极结构；沟道，延伸穿过栅电极结构；以及蚀刻停止层，在栅电极结构的侧壁上。栅电极结构包括在第一方向上彼此间隔开并且以阶梯形状堆叠的栅电极。沟道包括第一部分和与第一部分接触的第二部分。第二部分的下表面的宽度小于第一部分的上表面的宽度。蚀刻停止层接触栅电极中的至少一个栅电极，并且在水平方向上与沟道的第一部分的上部重叠。接触蚀刻停止层的至少一个栅电极是包括绝缘材料的虚设栅电极。
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公开(公告)号：CN113845468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111018780.9
申请日：2016-09-13
IPC: C07D209/86 , C07D401/10 , C07D487/04 , C07D219/02 , C07D519/00 , C07D409/14 , C07D209/88 , C07D405/14 , C07D405/10 , C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物，其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
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公开(公告)号：CN107043346A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201610821939.3
申请日：2016-09-13
IPC: C07D209/86 , C07D401/10 , C07D487/04 , C07D219/02 , C07D519/00 , C07D409/14 , C07D209/88 , C07D405/14 , C07D405/10 , C07D251/24 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D209/86 , C07D209/88 , C07D219/02 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D405/10 , C07D405/14 , C07D409/14 , C07D487/04 , C07D519/00 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1059 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/5024
Abstract: 公开组合物、薄膜、以及包括组合物和薄膜的有机发光器件。所述组合物包括给体化合物和受体化合物，其中所述给体化合物和所述受体化合物形成激基复合物。所述激基复合物满足如说明书中所描述的特定的条件。
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公开(公告)号：CN110364631B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN201910231303.7
申请日：2019-03-26
IPC: H10K50/813 , H10K50/165 , H10K85/60 , H10K85/30 , H10K71/00
Abstract: 公开了有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中发射层包括满足一定条件的第一材料、第二材料、和发光材料。
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公开(公告)号：CN118221744A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311598821.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属；X11为N或C(R11)；X12为N或C(R12)；X21为N或C(R21)；X22为N或C(R22)；X23为N或C(R23)；X21和X22的至少一个为N；Y2‑Y4各自独立地为C或N；A2‑A4各自独立地为化学键、O、或S；环CY3和环CY4各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；a1、a2、和a3各自独立地为1‑3的整数；R13为由式2表示的基团，并且剩余取代基和变量如本文中所定义的。式1#imgabs0#式2#imgabs1#
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公开(公告)号：CN117015253A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310488270.0
申请日：2023-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金钟秀 , 姜基煜 , 姜昊锡 , 权殷淑 , 金相模 , 金重赫 , 金志桓 , 南成虎 , 安恩惠 , 安熙春 , 李恩庆 , 张东珍 , 郑多运 , 郑姸淑 , 郑庸植 , 崔炳基 , 崔恩晶 , 崔玹豪 , Y·李 , 赵恕院
Abstract: 提供有机发光器件和包括其的电子设备。所述有机发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层；由式1表示的第一化合物；和由式2表示的第二化合物，其中环CY11至环CY14、环CY23和环CY24各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；E1为由式1A表示的基团；k1为1‑5的整数；n11为1‑3的整数；n12为0‑3的整数；X21为N或C(R21a)，X22为N或C(R22a)，X23为N或C(R23a)，并且X21‑X23的至少一个为N；且剩余取代基和变量如本文中所定义的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115611949A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210833564.8
申请日：2022-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M1为过渡金属；X10为C；X11‑X14、X20、X30‑X36、和X40各自独立地为C或N；环A20和环A40各自独立地为C5‑C30碳环基团或C1‑C30杂环基团；且R1‑R5、R10、R20、R31、R32、R40、T1、b10、b20、b31、b32、和b40如本文中所定义的。式1
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公开(公告)号：CN114628397A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111520524.X
申请日：2021-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 本发明构思涉及一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括具有第一区、第二区和第三区的衬底，且栅电极在第一区和第二区中彼此间隔开。该半导体器件还包括：与栅电极交替堆叠的层间绝缘层；穿过第一区中的栅电极的沟道结构；穿过第二区中的栅电极的第一虚设结构，第一虚设结构与第一区相邻设置；穿过第二区中的栅电极的第二虚设结构，第二虚设结构与第三区相邻设置并具有与第一虚设结构不同的形状；以及穿过第三区中的栅电极的支撑结构。每个第二虚设结构的尺寸大于每个支撑结构的尺寸。
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