公开(公告)号：CN102163548A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110045061.6

申请日：2011-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金重浩 ,  黄棋铉 ,  杨尚烈 ,  孙龙勋 ,  金周誾

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 一种制作半导体器件的方法，包括：在衬底上交替且重复地堆叠牺牲层和第一绝缘层；形成穿通所述牺牲层和所述第一绝缘层的开口；以及在所述开口的侧壁上形成隔离物，其中，所述开口的底部表面没有所述隔离物。在所述开口中形成半导体层。还披露了相关的器件。