公开(公告)号：CN117525133A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310710772.3

申请日：2023-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗相喆 ,  李敬雨 ,  郭玟灿 ,  金菊喜 ,  金荣佑 ,  李东翼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L23/535 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源图案，在第一衬底上延伸；栅电极，在有源图案上延伸；源/漏区，在有源图案上；第一层间绝缘层，在源/漏区上；牺牲层，在第一衬底上；下布线层，在牺牲层的下表面上；通孔沟槽，通过在竖直方向上穿过第一层间绝缘层和牺牲层延伸到下布线层；通孔，在通孔沟槽内部，并连接到下布线层；凹部，在牺牲层内部，并在第二水平方向上从通孔沟槽的侧壁突出；以及通孔绝缘层，沿通孔沟槽的侧壁延伸，并延伸到凹部中。

公开(公告)号：CN117457621A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310904212.1

申请日：2023-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  金菊喜 ,  朴埈范 ,  安宰贤 ,  吴大荣 ,  李东翼

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有第一区域和第二区域；第一器件，在第一区域中位于基底上；第二器件，在第二区域中位于基底上；正面互连结构，在基底的正面上且包括电连接到第一器件和第二器件的多个互连层；以及背面掩埋互连结构，与基底的背面相邻，基底的背面与基底的正面相对。背面掩埋互连结构包括背面掩埋绝缘层和背面掩埋导电层，背面掩埋绝缘层位于从基底的背面朝向基底的正面凹陷的沟槽中，背面掩埋导电层位于背面掩埋绝缘层中。背面掩埋互连结构位于第一区域或第二区域中。