公开(公告)号：CN107978659B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201710984379.8

申请日：2017-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金美贤 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  卓泳助 ,  朴永洙

IPC: H01L33/00

Abstract: 本申请涉及一种制造GaN衬底的方法。在制造GaN衬底的方法中，可在硅衬底的第一表面上形成覆盖层。可在硅衬底的第二表面上形成缓冲层。第二表面可与第一表面相对。通过执行氢化物气相外延工艺，可在缓冲层上形成GaN衬底。可移除覆盖层和硅衬底。

公开(公告)号：CN117410304A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310865459.7

申请日：2023-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜三默 ,  金美贤 ,  成汉圭 ,  延智慧

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L27/12

Abstract: 一种显示设备包括：电路板，其包括驱动器电路；以及像素阵列，其在电路板上包括多个像素，其中多个像素中的每一个包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且其中像素阵列包括下发光结构，下发光结构包括：分别对应于第一子像素、第二子像素和第三子像素的第一下发光二极管(LED)单元、第二下LED单元和第三下LED单元，第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元中的每一个包括被配置为发射第一波长的第一光的第一半导体层合件；以及基底绝缘层，其在第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元的下表面上，并且包括延伸至第一下LED单元、第二下LED单元和第三下LED单元之间的区域的单元间绝缘部分。

公开(公告)号：CN110010740A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811486130.5

申请日：2018-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  金美贤 ,  金柱成

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: 一种紫外发光装置，包括：第一导电类型AlGaN半导体层；有源层，其设置在所述第一导电类型AlGaN半导体层上并且具有AlGaN半导体；第二导电类型AlGaN半导体层，其设置在所述有源层上，并且具有被划分为第一区域和第二区域的上表面；第二导电类型氮化物图案，其设置在所述第二导电类型AlGaN半导体层的第一区域上，并且所述第二导电类型氮化物图案的能带隙小于所述第二导电类型AlGaN半导体层的能带隙；透明电极层，其覆盖所述第二导电类型氮化物图案和所述第二导电类型AlGaN半导体层的第二区域；透光介电层，其设置在所述第二导电类型氮化物图案之间的透明电极层上；以及金属电极，其设置在覆于所述第二导电类型氮化物图案上的透明电极层上以及所述透光介电层上。

公开(公告)号：CN106206863A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610364734.7

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永焕 ,  姜三默 ,  金峻渊 ,  金美贤 ,  金柱成 ,  卓泳助

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B29/403 ,  C30B33/06 ,  F21K9/237 ,  F21K9/275 ,  F21S41/141 ,  F21S43/14 ,  F21V23/005 ,  F21Y2113/10 ,  F21Y2115/10 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。