公开(公告)号：CN116031209A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211311828.X

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵槿汇 ,  金珍圭 ,  姜明吉 ,  金洞院 ,  徐基圣

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：形成从衬底沿第一方向延伸并具有第一区域和第二区域的半导体结构；形成与半导体结构的第一区域相交并沿垂直于第一方向的第二方向延伸的牺牲栅图案；减小半导体结构的暴露于牺牲栅图案的至少一侧的第二区域在第二方向上的宽度；通过去除半导体结构的第二区域的一部分来形成至少一个凹陷部分；在牺牲栅图案的至少一侧在半导体结构的凹陷部分中形成一个或多个源/漏区；通过去除牺牲栅图案形成至少一个间隙区；以及通过在间隙区沉积栅介电层和栅电极来形成栅结构。

公开(公告)号：CN119855227A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202410884567.3

申请日：2024-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安宰贤 ,  金珍圭 ,  福留秀畅 ,  金知雄 ,  南润锡

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/40 ,  H10D62/10

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；鳍型有源区，在衬底的第一表面上沿第一水平方向延伸，并且包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一源/漏区，布置在鳍型有源区的第一区域上；第二源/漏区，布置在鳍型有源区的第二区域上；以及填充绝缘层，在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸，其中，第一区域包括第一导电类型，其中，第二区域包括与第一导电类型不同的第二导电类型，并且其中，第一区域与第二区域之间的边界包括基本垂直于第一水平方向并且与填充绝缘层重叠的部分。

公开(公告)号：CN118053876A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310806747.5

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  南润锡 ,  金珍圭 ,  刘素罗 ,  李城门 ,  车承珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置可以包括：第一有源图案，在基底上彼此相邻；第一源极/漏极图案，分别在第一有源图案上并且彼此相邻；第一分隔结构和第二分隔结构，与第一有源图案交叉并且布置在基底上，使得第一源极/漏极图案中的相邻第一源极/漏极图案置于第一分隔结构与第二分隔结构之间；第一贯穿过孔，在所述相邻第一源极/漏极图案之间；第一电力线，在第一贯穿过孔上并且电连接到第一贯穿过孔；电力输送网络层，在基底的底表面上；以及第一下贯穿过孔，在电力输送网络层与第一贯穿过孔之间。

公开(公告)号：CN117199131A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310529488.6

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍圭 ,  南润锡 ,  李敬雨 ,  金昊俊 ,  D·R·吴 ,  李城门 ,  赵学柱 ,  车承珉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：底部衬底；设置在底部衬底上的第一层间绝缘层；设置在第一层间绝缘层内的电力轨；有源图案，其在第一水平方向上延伸并且设置在第一层间绝缘层上；栅电极，其在与第一水平方向不同的第二水平方向上延伸，并且设置在有源图案上；栅极切割件，其在第一水平方向上延伸并且设置在电力轨上，其中，栅极切割件分离栅电极；以及电力轨穿通件，其设置在栅极切割件内，其中，电力轨穿通件与电力轨重叠。