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公开(公告)号：CN111009601A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910628665.X
申请日：2019-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光装置包括第一半导体层，其在衬底上并具有第一导电类型；有源层，其在第一半导体层上；第二半导体层，其在有源层上并具有第二导电类型，第二半导体层掺杂有镁，并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面；以及第三半导体层，其在第二半导体层上并具有第二导电类型，第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度，并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面，以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。
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公开(公告)号：CN106370314B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610590980.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源‑漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。
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公开(公告)号：CN110034214A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811509616.6
申请日：2018-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：发光堆叠件，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；穿过第二导电半导体层和有源层的多个孔；沿着发光堆叠件的边缘延伸的沟槽，所述沟槽延伸穿过第二导电半导体层和有源层；以及位于所述多个孔内和沟槽内的反射金属层。
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公开(公告)号：CN106370314A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610590980.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源-漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。
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公开(公告)号：CN119486402A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410888831.0
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10H20/819 , H10H20/821 , H10H20/816 , H10H20/811 , H10H20/01 , H10H29/14 , G09F9/33 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米棒发光器件、制造其的方法和包括其的显示装置。该纳米棒发光器件包括：支撑层；从支撑层的上表面突出并包括掺杂为第一导电类型的半导体材料的第一类型半导体纳米核心；掩模层，在支撑层的上表面上并在垂直方向上延伸到第一类型半导体纳米核心的第一高度，并与第一类型半导体纳米核心的表面相邻；发光层，具有多量子阱结构，与第一类型半导体纳米核心的在垂直方向上在第一高度之上的一部分相邻；以及第二类型半导体层，与发光层的表面相邻并且包括掺杂为第二导电类型的半导体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119311069A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410929457.4
申请日：2024-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体器件，包括产生基准电压的带隙基准发生器；开关控制电压发生器，其基于所述基准电压产生第一基准电流，并且通过将第一基准电流分发给第一路径和第二路径来产生自适应开关电平电压，第一路径包括第一电阻器，并且第二路径包括串联连接的第二电阻器和第一双极结型晶体管；以及开关控制器，其基于自适应开关电平电压产生用于控制包括在带隙基准发生器中的开关的开关控制信号。自适应开关电平电压具有比第一双极结型晶体管的基极‑发射极电压的相对于温度的斜率大的相对于温度的斜率。
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公开(公告)号：CN117476832A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310858488.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种发光结构、显示装置和显示装置的制造方法。该发光结构包括：基板；第一外延结构，设置在基板上；第二外延结构，设置在第一外延结构上；以及第三外延结构，设置在第二外延结构上。第一外延结构、第二外延结构和第三外延结构中的每个以依次堆叠结构包括第一导电性的第一半导体层、载流子阻挡层、有源层和第二导电性的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN113049129A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011054017.7
申请日：2020-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种温度测量电路，包括：带隙基准电路，被配置为生成与工作温度无关的固定的带隙基准电压；基准电压生成器电路，被配置为通过调整所述带隙基准电压生成测量基准电压；感测电路，被配置为基于偏置电流生成温变电压，其中，所述温变电压根据所述工作温度变化；模数转换器电路，被配置为基于所述测量基准电压和所述温变电压生成指示所述工作温度的第一数字代码；以及模拟内置自测试(BIST)电路，被配置为生成多个标志信号，其指示所述带隙基准电压、所述测量基准电压和与所述偏置电流相对应的偏置电压中的每一个是否包括在预定范围内。
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