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公开(公告)号：CN101419835A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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公开(公告)号：CN102163465B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110041553.8
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金杜坤
IPC: G11C29/44
CPC classification number: G11C29/781 , G11C29/765 , G11C29/80 , G11C29/82 , G11C29/846 , G11C2229/723 , H01L27/11582
Abstract: 公开了非易失性存储器件和存储系统。非易失性存储器件包括：主存储单元阵列、冗余存储单元阵列和控制器。主存储单元阵列包括多个位线，每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串。冗余存储单元阵列包括多个冗余位线，每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串。控制器被配置为控制冗余位线之一，以修复主存储单元阵列中的串。
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公开(公告)号：CN101630531B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200910166966.1
申请日：2009-06-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/16
Abstract: 在一个实施例中，一种包含至少具有串联的第一和第二可编程晶体管的存储阵列的存储器的擦除方法包括：在擦除操作期间限制从第一可编程晶体管进入到第二可编程晶体管的电子流动。
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公开(公告)号：CN101419835B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194523B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110047620.7
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/16 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 提供一种非易失性存储器件的擦除方法。所述擦除方法向分别连接到所述存储单元的多条字线施加字线擦除电压，向连接到地选择晶体管的地选择线施加特定电压，向在向所述地选择线施加所述特定电压的步骤中在其中形成存储串的衬底施加擦除电压，以及响应于所述衬底的电压变化浮置所述地选择线。
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公开(公告)号：CN101206922B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
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公开(公告)号：CN102163465A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110041553.8
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金杜坤
IPC: G11C29/44
CPC classification number: G11C29/781 , G11C29/765 , G11C29/80 , G11C29/82 , G11C29/846 , G11C2229/723 , H01L27/11582
Abstract: 公开了非易失性存储器件和存储系统。非易失性存储器件包括：主存储单元阵列、冗余存储单元阵列和控制器。主存储单元阵列包括多个位线，每个位线连接到垂直于衬底布置的多个串。冗余存储单元阵列包括多个冗余位线，每个冗余位线连接到垂直于衬底布置的多个冗余串。控制器被配置为控制冗余位线之一，以修复主存储单元阵列中的串。
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公开(公告)号：CN101206922A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710160149.6
申请日：2007-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C16/3418 , G11C16/24 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了在非易失性存储器中编程的方法，使用增量步进脉冲作为被施加到所选择的字线的编程电压。本方法可以包括：施加预充电电压到偶数位线和奇数位线，以便该偶数位线和该奇数位线被交替地充以预充电电压和高于该预充电电压的升压电压。本方法可以还包括：施加与编程数据相对应的位线电压到偶数位线和奇数位线中所选择的位线。
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