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公开(公告)号:CN101995719A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010189566.5
申请日:2010-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3659 , G09G3/3614 , G09G2300/0426 , G09G2300/0434 , G09G2300/0823
Abstract: 根据本发明的示范性实施例的液晶显示器包括面向彼此的第一和第二基底、插入在基底之间的液晶层、位于第一基底上且被配置为发送栅极信号的多条栅极线、位于第一基底上且被配置为发送数据信号的至少一条数据线、位于第一基底上的多条供电线、不同地连接到栅极线、数据线和供电线的多个开关元件、连接到开关元件的多个像素电极,其中相应的像素电极彼此分离。
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公开(公告)号:CN103914405B
公开(公告)日:2019-01-18
申请号:CN201410006692.0
申请日:2014-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/1027
Abstract: 提供了包括存储管理单元(MMU)的片上系统及其存储地址转换方法。所述SoC包括:主知识产权(IP),被配置为输出与多个工作集合中的每一个工作集合相应的请求;包括多个存储管理单元(MMU)的MMU模块,每个MMU被分配用于工作集合中的一个并且被配置为将与所述请求相应的虚拟地址转换为物理地址;第一总线互连,被配置为将所述MMU模块与存储设备连接以及发送所述请求到所述存储设备,在多个MMU中的至少一个中已经对所述请求执行地址转换;以及第二总线互连,被配置为将所述主IP与所述MMU模块连接以及将所述MMU中的一个分配用于多个工作集合中的每一个工作集合。
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公开(公告)号:CN104021090A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201410073091.1
申请日:2014-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F12/06 , G06F12/0292
Abstract: 提供了一种操作集成电路的方法。所述方法包括:从第二存储设备接收数据块偏移量,使用该数据块偏移量获得目标条目地址,并且基于目标条目地址读取第一存储设备中存储的缓存器描述符中所包括的多个条目当中的条目。该方法还包括:使用在所述条目中包括的物理地址从所述第一存储设备中包括的多个数据缓存器当中的一数据缓存器读取数据,并将该数据传送到第二存储设备。
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公开(公告)号:CN102621745A
公开(公告)日:2012-08-01
申请号:CN201110259569.6
申请日:2011-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1343 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/133711 , B32B2457/202 , G02F1/133723 , G02F1/1393 , Y10T428/1005 , Y10T428/1023
Abstract: 一种液晶显示器,包括:彼此面对的第一基板和第二基板;一对场产生电极,设置在第一基板上;液晶层,设置在第一基板与第二基板之间并且包括具有正介电各向异性的液晶分子;和至少一个配向层,设置在第一基板与第二基板之间,其中配向层包括主链和连接到该主链的至少一个侧链,该侧链包括垂直官能团或极性基团。
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公开(公告)号:CN101893796A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010185678.3
申请日:2010-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F1/136286 , G02F2201/124
Abstract: 本发明提供一种液晶显示器,其包括:第一基板和设置为相对于第一基板的第二基板;液晶层,插设在第一和第二基板之间,且包括液晶分子;栅极线,传输栅极信号;第一和第二数据线,分别传输第一和第二数据电压,第一和第二数据电压具有相反的极性;第一开关元件,连接到栅极线和第一数据线;第二开关元件,连接到栅极线和第二数据线;第一子像素电极,连接到第一开关元件;以及第二子像素电极,连接到第二开关元件。第一和第二子像素电极与第一和第二数据线的部分交叠。第一和第二子像素电极分别包括第一和第二分支,它们交替设置在第一和第二数据线之间。
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