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公开(公告)号：CN117971737A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410076666.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件包括：第一存储器芯片，其包括第一裸芯上终止电路ODT，该第一裸芯上终止电路包括第一ODT电阻器；第二存储器芯片，其包括第二裸芯上终止电路ODT，该第二裸芯上终止电路包括第二ODT电阻器；至少一个接收至少一个芯片使能信号的芯片使能信号引脚，其中该至少一个芯片使能信号选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个；以及被共同连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片的ODT引脚，其接收ODT信号，其中该ODT信号定义了针对第一ODT电路和第二ODT电路中的至少一个的使能时段，并且响应于该ODT信号和该至少一个芯使能信号，使能第一ODT电阻器和第二ODT电阻器中的一个以终止由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号。
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公开(公告)号：CN109753456B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201810933069.8
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件包括：第一存储器芯片，其包括第一裸芯上终止电路ODT，该第一裸芯上终止电路包括第一ODT电阻器；第二存储器芯片，其包括第二裸芯上终止电路ODT，该第二裸芯上终止电路包括第二ODT电阻器；至少一个接收至少一个芯片使能信号的芯片使能信号引脚，其中该至少一个芯片使能信号选择性地使能第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个；以及被共同连接到第一存储器芯片和第二存储器芯片的ODT引脚，其接收ODT信号，其中该ODT信号定义了针对第一ODT电路和第二ODT电路中的至少一个的使能时段，并且响应于该ODT信号和该至少一个芯使能信号，使能第一ODT电阻器和第二ODT电阻器中的一个以终止由第一存储器芯片和第二存储器芯片中的至少一个接收的信号。
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公开(公告)号：CN115668953A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036437.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/2343 , H04N21/2662 , H04N21/24 , H04N13/161 , H04N19/189 , H04N19/194 , H04N21/218
Abstract: 本公开涉及使用边缘计算服务(例如，多接入边缘计算(MEC)服务)的图像内容传输方法和设备，并且根据实施例的图像内容传输方法可以包括：获得传感器信息，该传感器信息包括由连接到边缘数据网络的电子设备检测到的定向信息；获得状态信息，该状态信息包括边缘数据网络与电子设备之间的网络状态信息；基于传感器信息和状态信息，识别第一局部图像的大小和位置；通过基于识别出的第一局部图像的大小和位置，对第一局部图像进行编码来生成第一帧；以及将所生成的第一帧发送到电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105745933B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201480063392.4
申请日：2014-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/2343 , H04N21/437
CPC classification number: H04L65/4084 , H04L65/4092 , H04L65/608 , H04N21/2393 , H04N21/437 , H04N21/6437
Abstract: 公开了用于提供流传输数据服务的服务器、用户终端设备和方法。将流传输数据从服务器提供到用户终端设备的方法包括：经由实时流传输协议方案从用户终端设备接收描述消息；当接收到描述消息时，将响应消息发送到用户终端设备，其中，响应消息包含关于流传输数据服务的至少一条内容的内容执行信息和与存储在存储介质中的至少一条内容相关地预先存储的内容列表信息；以及当基于响应消息从用户终端设备接收到流传输数据服务请求时，将与流传输数据服务的内容或存储在存储介质中的内容有关的流传输数据发送到用户终端设备。
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公开(公告)号：CN108986860A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810558596.5
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器，所述非易失性存储器包括：时钟引脚，被配置成在占空比修正电路训练周期期间接收外部时钟信号；多个存储器芯片，被配置成基于外部时钟信号对内部时钟信号执行占空比修正操作，所述多个存储器芯片被配置成在训练周期期间并行地执行占空比修正操作；以及输入/输出引脚，共同连接到所述多个存储器芯片，其中所述多个存储器芯片中的每一者包括：占空比修正电路(DCC)，被配置成对内部时钟信号执行占空比修正操作；以及输出缓冲器，连接在占空比修正电路的输出端子与输入/输出引脚之间。
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公开(公告)号：CN115668953B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202180036437.9
申请日：2021-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N21/2343 , H04N21/2662 , H04N21/24 , H04N13/161 , H04N19/189 , H04N19/194 , H04N21/218
Abstract: 本公开涉及使用边缘计算服务(例如，多接入边缘计算(MEC)服务)的图像内容传输方法和设备，并且根据实施例的图像内容传输方法可以包括：获得传感器信息，该传感器信息包括由连接到边缘数据网络的电子设备检测到的定向信息；获得状态信息，该状态信息包括边缘数据网络与电子设备之间的网络状态信息；基于传感器信息和状态信息，识别第一局部图像的大小和位置；通过基于识别出的第一局部图像的大小和位置，对第一局部图像进行编码来生成第一帧；以及将所生成的第一帧发送到电子设备。
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公开(公告)号：CN115798531A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211407966.8
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个，在所述ODT写入模式期间使用ODT电路在数据引脚上执行ODT，并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路在控制引脚上执行ODT。
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公开(公告)号：CN108877853B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201810466576.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信号和通过所述ODT引脚接收的ODT信号来确定ODT写入模式和ODT读取模式中的一个，在所述ODT写入模式期间使用ODT电路在数据引脚上执行ODT，并在所述ODT读取模式期间使用ODT电路在控制引脚上执行ODT。
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