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公开(公告)号:CN119012713A
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202311598485.4
申请日:2023-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/49 , H01L23/52 , H01L21/768 , H01L21/60
Abstract: 提供了半导体封装件和用于制造半导体封装件的方法。根据示例的半导体封装件包括:基体裸片,具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一组核心裸片,堆叠在基体裸片的第一表面上,并且电连接到基体裸片;安装构件,面对基体裸片的第二表面;第二组核心裸片,位于基体裸片与安装构件之间,第二组核心裸片堆叠在基体裸片的第二表面上并电连接到基体裸片;以及接口,用于基体裸片与安装构件之间的电连接。
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公开(公告)号:CN118899284A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202410328721.9
申请日:2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/52 , H01L23/522 , H10B80/00 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 一种半导体装置包括:半导体层,所述半导体层具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;第一布线结构,所述第一布线结构位于所述半导体层的所述第一表面上;第二布线结构,所述第二布线结构位于所述半导体层的所述第二表面上;以及贯穿通路,所述贯穿通路延伸穿过所述半导体层并且电连接到所述第一布线结构和所述第二布线结构,其中,所述半导体层还包括:与所述半导体层的所述第一表面相邻的第一半导体元件层;以及与所述半导体层的所述第二表面相邻的第二半导体元件层。
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公开(公告)号:CN118363892A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202311629530.8
申请日:2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种装置包括通过管芯到管芯(D2D)接口连接到第二管芯的第一管芯。第一管芯包括被配置为向D2D接口提供与第二管芯通信的第一通道的第一互连,该第一互连包括第一逻辑电路,该第一逻辑电路被配置为指示连接到第一通道的小芯片管芯的数量与所连接的小芯片管芯的多个信号引脚之中的所连接的信号引脚之间的相关性。第二管芯包括所述数量的所连接的小芯片管芯,每个所连接的小芯片管芯包括被配置为提供从每个所连接的小芯片管芯到D2D接口的第二通道的第二互连。第二通道被配置为根据所连接的小芯片管芯的所连接的信号引脚的数量来设置。
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公开(公告)号:CN111276174A
公开(公告)日:2020-06-12
申请号:CN201910724655.6
申请日:2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开存储器装置和处理存储器装置的安全数据的方法。一种存储器装置包括:存储器单元阵列,包括被配置为存储安全数据的安全区域;以及安全管理电路,被配置为:存储保护密钥,并且响应于接收到对安全区域的数据操作命令,通过将保护密钥与由所述存储器装置接收的输入密码进行比较来限制对安全区域的数据操作。
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