公开(公告)号：CN104425611A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410182596.1

申请日：2014-04-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善载 ,  金兑相 ,  柳明官 ,  朴晙皙 ,  徐锡俊 ,  孙暻锡 ,  赵成豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了晶体管和包括该晶体管的显示装置。该晶体管可以包括具有多层结构的沟道层。沟道层可包括第一层和第二层，该第一层和第二层包括具有各自浓度的多个元素中的至少一个，该第一层可以比第二层更靠近栅极设置。由于元素和元素各自的浓度的组合，所以第二层可具有比第一层的电阻高的电阻。第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌、氧和氮的半导体材料。替代地，第一层和第二层中的至少一个可包括包含锌氟氮化物的半导体材料。第二层的氧含量可以高于第一层的氧含量。第二层的氟含量可以高于第一层的氟含量。