公开(公告)号：CN117672945A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202310814503.1

申请日：2023-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊勇 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/68 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开涉及一种微型半导体芯片的巨量转移方法和巨量转移设备。该巨量转移多个微型半导体芯片的方法包括：将多个第一微型半导体芯片巨量转移到第一基板上，使得它们设置在第一基板的多个第一凹槽中；确定是否存在空的第一凹槽；以及将第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中，其中该定位可以包括将多个第二微型半导体芯片转移到与第一基板分开的第二基板上；以及利用静电力或电磁力从第二基板吸附第二微型半导体芯片并将吸附的第二微型半导体芯片定位在空的第一凹槽中。

公开(公告)号：CN117352619A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310762544.0

申请日：2023-06-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 金东湖 ,  张镐元 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  朴昭贤 ,  吴制鸿 ,  刘晶日

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明公开了一种发光器件和包括该发光器件的显示装置。该发光器件可以包括多个发光棒。所述多个发光棒中的每个可以包括具有棒形状的第一半导体层、设置在第一半导体层的多个表面周围的具有壳形状的有源层、以及设置在有源层的多个表面周围的具有壳形状的第二半导体层。发光器件可以进一步包括：绝缘层，设置在所述多个发光棒之间的空间中；透明电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第一半导体层；以及反射电极，电连接到所述多个发光棒中的每个的第二半导体层。

公开(公告)号：CN117352601A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310450252.3

申请日：2023-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  金东湖 ,  朴俊勇 ,  刘珉哲 ,  洪硕佑 ,  黄俊式

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种芯片湿式转移装置，包括被配置为将大量微型半导体芯片施加给转移基板的第一芯片施加模块、被配置为将大量微型半导体芯片排列在多个凹槽中的第一芯片排列模块、被配置为施加少量微型半导体芯片的第二芯片施加模块、以及被配置为排列少量微型半导体芯片的第二芯片排列模块。

公开(公告)号：CN115939278A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210661382.7

申请日：2022-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪硕佑 ,  金铉埈 ,  金东均 ,  金东湖 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  黄俊式

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/50

Abstract: 提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括：半导体结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；侧延伸结构，与半导体结构的侧壁相邻设置；第一电极，具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分；以及第二电极，具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。

公开(公告)号：CN105890750A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610090154.3

申请日：2016-02-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  IMEC公司

Inventor： 赵成豪 ,  T.克拉斯 ,  金东湖

IPC: G01J3/02 ,  G01N21/65

Abstract: 提供了配置为接收不同偏振分量的光的双耦合器器件、包括该双耦合器器件的光谱仪以及包括该光谱仪的无创生物计量传感器。双耦合器器件可以包括例如配置为接收入射光当中的第一偏振分量的光的第一耦合器层以及配置为接收入射光当中的第二偏振分量的光的第二耦合器层，其中第一偏振分量的光的偏振方向垂直于第二偏振分量的光的偏振方向。第一耦合器层和第二耦合器层可以彼此分隔开并沿着其中光在第一耦合器层和第二耦合器层中传播的方向延伸。

公开(公告)号：CN118335852A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410029785.9

申请日：2024-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴映泽 ,  朴俊勇 ,  黄京旭 ,  金东均 ,  金东湖 ,  宋相勋 ,  刘珉哲 ,  黄俊式

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种转移微型半导体芯片的方法和转移结构。该方法包括：提供多个基底转移基板，每个所述基底转移基板包括多个凹槽；在第一底部基板上对准所述多个基底转移基板；在第二底部基板上对准所述多个基底转移基板；通过将微型半导体芯片转移到第一底部基板的基底转移基板来提供目标转移结构；通过将微型半导体芯片转移到第二底部基板的基底转移基板来提供初步转移结构；以及将目标转移结构的基底转移结构当中的未转移微型半导体芯片的错误基底转移结构替换为初步目标转移结构的基底转移结构当中的在其上转移了微型半导体芯片的正常基底转移结构。

公开(公告)号：CN117199207A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310252105.5

申请日：2023-03-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  忠北大学校 ,  产学协力团

Inventor： 黄京旭 ,  郑在旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑 ,  宋相勋 ,  刘珉哲

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L27/15

Abstract: 提供一种微型芯片，包括具有第一表面和面对第一表面的第二表面的芯片主体、以及在第二表面上的电极层，其中第一表面的表面粗糙度小于电极层的上表面的表面粗糙度，使得第一表面和外部接触表面之间的范德华力大于电极层和外部接触表面之间的范德华力。

公开(公告)号：CN116013824A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211287021.7

申请日：2022-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东均 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 提供了一种微半导体芯片转移基板，该微半导体芯片转移基板包括基础基板、提供在基础基板上沿彼此平行的方向延伸并彼此间隔开的导轨、以及在导轨之间提供在基础基板中并配置为容纳微半导体芯片的多个凹槽。

公开(公告)号：CN115249756A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210219293.7

申请日：2022-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄俊式 ,  黄京旭 ,  金东湖 ,  金铉埈 ,  朴俊勇 ,  洪硕佑

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了多次使用转移模具和制造显示装置的方法。该多次使用转移模具包括转移基板和提供在转移基板中的多个凹槽，其中每个凹槽包括用于容纳转移微发光器件的转移区域和用于容纳预备微发光器件的预备区域，其中预备区域连接到转移区域。

公开(公告)号：CN115000271A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210121506.2

申请日：2022-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  洪硕佑 ,  黄京旭 ,  黄俊式 ,  金东湖 ,  朴俊勇

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了一种包括发光元件的显示转移结构和发光元件转移方法。该显示转移结构包括包含多个阱的基板、以及设置在所述多个阱中的多个发光元件，其中所述多个发光元件具有旋转不对称的平面形状，以及其中所述多个阱分别具有与所述多个发光元件中的每个的平面形状不同的平面形状。