公开(公告)号：CN1925184A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610125682.4

申请日：2006-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东彻 ,  白寅圭 ,  车映官 ,  李文淑 ,  朴祥珍

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。