公开(公告)号：CN1469452A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03138696.2

申请日：2003-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  郑铉潭 ,  李敬雨 ,  李守根

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种在金属间介电层上构成图形的方法，包括a)在包含其上形成图形的下层电路的半导体基底上依次排放下层蚀刻阻止层、下层介电层、上层蚀刻阻止层和上层介电层，b)在上层介电层、上层蚀刻阻止层和下层介电层构成图形形成通孔，曝光下层电路上的下层蚀刻阻止层，c)用紫外线辐照通孔，d)在得到的包括通孔的半导体基底上形成光刻胶层，并在光刻胶层上构成图形，e)使用构成图形的光刻胶层作为蚀刻掩模构成图形上层介电层以形成上层介电层通孔周围的线路，和f)曝光下层线路的顶部。该方法容易除去光刻胶残余物，防止水引起的介电常数增加。