公开(公告)号：CN117727753A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311595730.6

申请日：2018-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金夏永 ,  金昌汎 ,  卢贤定 ,  宋泰中 ,  李达熙 ,  赵成伟

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供了集成电路。一种集成电路包括：在第一导电层中的第一导电图案；第二导电图案，在第一导电层之上的第二导电层中；以及通路，与第一导电图案和第二导电图案电连接以允许从第一导电图案流动到第二导电图案的第一电流和从第二导电图案流动到第一导电图案的第二电流在不同的时间经过。通路布置在第一导电图案上使得在第一导电图案中第一电流的路径不与第二电流的路径重叠。

公开(公告)号：CN106407496B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201610615043.X

申请日：2016-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋泰中 ,  白尚训 ,  赵成伟 ,  都桢湖 ,  梁箕容 ,  林辰永

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种设计半导体装置的布图的方法和制造半导体装置的方法。所述设计半导体装置的布图的方法包括：制造标准单元布图，包括在至少一个互连布图中安置初始管脚图案；执行布线步骤以使初始管脚图案连接到高水平互连布图；基于完成布线步骤时获得的接触信息在互连布图中产生管脚图案。管脚图案小于初始管脚图案。

公开(公告)号：CN111200422A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911133967.6

申请日：2019-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在禹 ,  朴基万 ,  金夏永 ,  辛政桓 ,  李根昊 ,  赵成伟

IPC: H03K3/3562

Abstract: 公开了一种半导体装置，包括：衬底，其具有在第一方向上彼此相邻的第一区和第二区；以及从第一区朝向第二区延伸的第一栅电极至第三栅电极。第一区和第二区中的每一个包括PMOSFET区和NMOSFET区。第一栅电极至第三栅电极在第一方向上延伸，并在与第一方向不同的第二方向上顺序地布置。第一栅电极和第三栅电极施加有第一信号。第二栅电极施加有作为第一信号的反相信号的第二信号。第一栅电极包括第一区的第一栅极和第二区的第一栅极。第一栅极在第一方向上对准并且彼此连接。

公开(公告)号：CN107623509A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710574018.6

申请日：2017-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金夏永 ,  李达熙 ,  吴炯锡 ,  李根昊 ,  宋泰中 ,  赵成伟

IPC: H03K3/037 ,  H03K3/03

CPC classification number: H03K3/356104 ,  H03K3/35625 ,  H03K23/001

Abstract: 一种触发器包括输入接口、第一锁存器、第三反相器和第二锁存器。第三反相器和第五反相器包括：形成在第一类型的鳍上的被电力供应电压供应的第一电力触点和第二电力触点之间的第一类型的第一晶体管，以及形成在第二类型的鳍上的被接地电压供应的第一接地触点和第二接地触点之间的第二类型的第二晶体管。