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公开(公告)号：CN108074921B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710637227.0
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底上的掺杂有第一杂质的第一半导体图案；所述第一半导体图案上的第一沟道图案；分别接触所述第一沟道图案的上部边缘表面的掺杂有第二杂质的第二半导体图案；以及至少包括所述第一沟道图案的侧壁的一部分的第一栅极结构。
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公开(公告)号：CN108231688A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711191137.X
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 许然喆
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/823487 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823828 , H01L21/823885 , H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/42356 , H01L29/66666 , H01L29/78 , H01L29/7827
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。
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公开(公告)号：CN107464846A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710406601.6
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L27/0886 , H01L29/0657 , H01L29/1054 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/785
Abstract: 本公开涉及场效应晶体管和半导体结构。场效应晶体管包括半导体基板和在半导体基板上的鳍结构，该半导体基板包括具有第一晶格常数的第一半导体材料。鳍结构包括具有第二晶格常数的第二半导体材料，第二晶格常数与第一晶格常数不同。鳍结构还包括在第一方向上伸长的下部、从下部突出并在不同于第一方向的第二方向上伸长的多个上部以及与多个上部交叉的栅极结构。
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公开(公告)号：CN107342287A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710218411.1
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0924 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/30604 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823828 , H01L21/823878 , H01L21/8258 , H01L27/0207 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/20 , H01L29/267 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/7848
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：具有NMOSFET区域和PMOSFET区域的基板；在NMOSFET区域上的第一有源图案；在PMOSFET区域上的第二有源图案；在NMOSFET区域和PMOSFET区域之间的虚设图案；以及在基板上的器件隔离图案，填充第一有源图案、第二有源图案和虚设图案之间的沟槽。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分具有在器件隔离图案之间突出的鳍形结构。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分分别包含彼此不同的半导体材料，虚设图案的上部分包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN108231688B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711191137.X
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 许然喆
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342287B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201710218411.1
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：具有NMOSFET区域和PMOSFET区域的基板；在NMOSFET区域上的第一有源图案；在PMOSFET区域上的第二有源图案；在NMOSFET区域和PMOSFET区域之间的虚设图案；以及在基板上的器件隔离图案，填充第一有源图案、第二有源图案和虚设图案之间的沟槽。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分具有在器件隔离图案之间突出的鳍形结构。第一有源图案的上部分和第二有源图案的上部分分别包含彼此不同的半导体材料，虚设图案的上部分包含绝缘材料。
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公开(公告)号：CN107437543B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201710383517.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L29/775 , H01L29/04 , H01L21/8252
Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。
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公开(公告)号：CN110349916A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910639578.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 许然喆
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。
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公开(公告)号：CN107437543A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710383517.7
申请日：2017-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L29/775 , H01L29/04 , H01L21/8252
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L21/30612 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/0847 , H01L29/1037 , H01L29/207 , H01L29/42376 , H01L29/66522 , H01L29/66666 , H01L27/085 , H01L21/8252 , H01L29/04 , H01L29/775
Abstract: 本申请涉及集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件可以包括：包括主表面的衬底；化合物半导体纳米线，其在垂直于主表面的第一方向上从主表面延伸并且包括在第一方向上交替布置的第一部分和第二部分；覆盖第一部分的栅电极；以及在第一部分与栅电极之间的栅电介质层。第一部分和第二部分可以具有彼此相同的成分并且可以具有彼此不同的晶相。
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