公开(公告)号：CN118553281A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202311400370.X

申请日：2023-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 ,  洪昇基 ,  金东河 ,  金铉普

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4063

Abstract: 公开了半导体存储器装置及其自刷新方法，所述方法包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。

公开(公告)号：CN117727350A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202310696812.3

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪昇基

IPC: G11C11/408 ,  G11C11/4072

Abstract: 提供了存储器设备和对解码的行地址进行预充电的方法。存储器设备，包括：存储器单元阵列，包括多个行；行解码器，被配置为基于解码的行地址从多个行当中选择要激活的行；以及接口电路，被配置为：基于解码行地址的多个位来生成解码的行地址，将解码的行地址传送到行解码器，在存储器设备的第一模式中，对被传送到行解码器的解码的行地址进行预充电，并且在存储器设备的第二模式中，确定在第二模式中是否接收到预充电信号，并且基于预充电信号对解码的行地址进行预充电。

公开(公告)号：CN115938421A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211022435.7

申请日：2022-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪昇基 ,  李承俊

IPC: G11C11/34 ,  G11C8/08

Abstract: 一种存储器设备包括存储器单元阵列、行选择电路、刷新控制器和存储器控制逻辑。所述存储器单元阵列包括以行和列布置的存储器单元。所述行选择电路连接到所述行。所述刷新控制器控制所述行选择电路以将刷新操作电压施加到一个或多个行。所述存储器控制逻辑对从存储器控制器接收的命令进行解码并且输出刷新命令和外部刷新地址信息。所述刷新控制器基于从所述存储器控制器输出的所述刷新命令并基于所述内部刷新操作的第一行锤击行地址是否与所述外部刷新操作的第二行锤击行地址相同来控制所述行选择电路执行外部刷新操作和内部刷新操作中的一者。