公开(公告)号：CN1135619C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN96116722.X

申请日：1996-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  朴熙哲

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体器件静电泄放结构，包括P型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的N型阱；在N型阱一定区域中形成的P型槽阱；在N型阱表面形成并且掺杂浓度高于N型阱的N型有源保护环；在P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于P型槽阱的P型有源保护环；以及在P型槽阱表面形成的NMOS晶体管。即使静电电荷导致的负电压暂时加到NMOS晶体管漏区，也可防止P型半导体衬底上形成的内部电路出现故障。

公开(公告)号：CN1154578A

公开(公告)日：1997-07-16

申请号：CN96116722.X

申请日：1996-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁香子 ,  朴熙哲

IPC: H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 半导体器件静电泄放结构，包括P型杂质掺杂的半导体衬底；在半导体衬底一定区域中形成的N型阱；在N型阱一定区域中形成的P型槽阱；在N型阱表面形成并且掺杂浓度高于N型阱的N型有源保护环；在P型槽阱的表面形成并且掺杂浓度高于P型槽阱的P型有源保护环；以及在P型槽阱表面形成的NMOS晶体管。即使静电电荷导致的负电压暂时加到NMOS晶体管漏区，也可防止P型半导体衬底上形成的内部电路出现故障。