公开(公告)号：CN119107276A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410176784.7

申请日：2024-02-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  金度润 ,  梁宰圆

IPC: G06T7/00 ,  G06T7/13 ,  G06T7/70

Abstract: 提供了一种图案检查方法，包括：获得其上形成有图案的衬底的图像，基于图像提取轮廓，基于轮廓检测目标图案的位置，通过对所检测的目标图案的位置执行曲线拟合来生成图案检查数据，以及基于图案检查数据分析图案，其中，通过使用Sigmoid函数、双曲正切函数和费米‑狄拉克函数中的至少一个来执行曲线拟合，并且其中图案检查数据包括第一方向上的宽度、第二方向上的高度和目标图案的图案斜率。

公开(公告)号：CN118691483A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410317990.5

申请日：2024-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许建 ,  金银珠 ,  梁宰圆

IPC: G06T5/50 ,  G06T11/60 ,  G06N3/0475 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/084 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774

Abstract: 提供了图案建模系统和图案建模方法。所述图案建模方法包括：基于由深度神经网络(DNN)学习的样本图案生成第一图像数据，通过测量第一图像数据生成第二图像数据，确定第二图像数据的将被应用权重滤波器的区域，通过将权重滤波器应用于第二图像数据的确定的区域来训练DNN，以及基于训练DNN的结果来预测至少一个图案图像。

公开(公告)号：CN117289543A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310566686.X

申请日：2023-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕尚哲 ,  梁宰圆 ,  李赫

IPC: G03F1/70 ,  G03F1/36

Abstract: 提供了一种反映掩模偏差变化的可靠的光刻模型生成方法和包括该光刻模型生成方法的掩模制造方法。该光刻模型生成方法包括准备用于学习的基本图像数据，准备指示掩模偏差变化的变换图像数据，通过组合基本图像数据和变换图像数据执行深度学习来生成光刻模型，以及验证光刻模型。

公开(公告)号：CN111243636B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910827187.5

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 伊戈尔·沃茨佐夫 ,  黄荣南 ,  金镇民 ,  朴容河 ,  朴贤植 ,  梁宰圆

IPC: G11C7/10 ,  G11C8/14 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括第一存储器单元和第二存储器单元；以及外围电路。当接收到第一命令、第一地址和第一输入数据时，外围电路响应于第一命令基于第一地址从第一存储器单元读取第一数据，通过使用第一数据和第一输入数据执行第一运算，并通过使用第一运算的结果从第二存储器单元读取第二数据。

公开(公告)号：CN116266407A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211448639.7

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁宰圆 ,  朴圣真 ,  吕尚哲 ,  李宣旼 ,  李赫 ,  李洙龙 ,  韩承周

IPC: G06V30/422 ,  G06V10/82 ,  G06F30/392 ,  G06F30/398

Abstract: 一种半导体器件图案化方法包括：通过对关于样本的图案的信息进行成像来生成输入图像；在关于所述样本进行预设半导体工艺之后获取所述样本的所述图案的输出图像；通过用所述输入图像和所述输出图像使用深度神经网络(DNN)学习来生成预测模型；以及通过使用所述预测模型来针对半导体器件的图案预测所述半导体工艺之后的图案图像。