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公开(公告)号：CN1607685A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机－无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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公开(公告)号：CN1511881A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124819.0
申请日：2003-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31695 , Y10S428/924 , Y10S428/931 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明提供一种制备含有成孔材料的多孔电介质薄膜的组合物，所述组合物含有双向洗涤剂，烷基季铵，热稳定有机或无机基质前体以及用于溶解所述两种固体组分的溶剂。本发明还提供一种用于半导体器件，具有良好机械性能，例如硬度，模量和吸湿性的夹层绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN1500846A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310102696.0
申请日：2003-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09D183/14 , C08K5/04 , H01B3/46
CPC classification number: H01B3/185 , H01B3/18 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明提供一种用于制备多孔夹层介电薄膜的组合物，该组合物包含糖类或糖类衍生物，热稳定的有机或无机基质前体，及溶解所述两固体组分的溶剂。本发明还提供一种半导体器件所需的介电薄膜，其具有直径小于50的均匀分布的纳米孔(nano－pore)。
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公开(公告)号：CN1607685B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机-无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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公开(公告)号：CN100488614C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN03155333.8
申请日：2003-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/0838
Abstract: 本发明公开了一种新型的双结构表面活性剂和使用该双结构表面活性剂制备中孔材料的方法。制备中孔材料的方法使用该新型的双结构表面活性剂作为结构导向剂，结果提供了孔径为10nm或更低且孔径分布均匀的中孔材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100422241C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410047406.1
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/50 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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公开(公告)号：CN101205312A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710154317.0
申请日：2007-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0085 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/51 , G11C2213/77 , H01L51/0591
Abstract: 本发明披露了组合物、包含该组合物的有机有源层、包括该有机有源层的有机存储装置以及制造该有机存储装置的方法，所述组合物包括至少一种有机金属铱化合物和导电聚合物的混合物。所述有机存储装置可包括第一电极、第二电极以及位于第一和第二电极之间的有机有源层。所述有机存储装置具有以下优点：快速的转换时间、降低的工作电压、降低的制造成本、提高的可靠性和改进的非易失性。
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公开(公告)号：CN1629222A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410089606.3
申请日：2004-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31695
Abstract: 本发明披露了用于形成介电膜的组合物，其通过将含有羟基或烷氧基的硅氧烷类前体和成孔材料以及能够固化该硅氧烷类树脂前体的缩合催化剂产生剂一起溶解于有机溶剂中而制备。本发明还披露了具有低介电常数和改进的物理性质的多孔介电膜，其中通过将该组合物涂覆到基底上，接着通过曝光在低温下引起缩聚而形成介电膜。本发明还披露了在不使用光致抗蚀剂的情况下形成多孔介电膜的负片的方法，其包括通过掩膜对涂覆后的膜曝光，然后用显影剂除去未曝光区域。
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公开(公告)号：CN1572816A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047406.1
申请日：2004-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/50 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种具有新型结构的硅氧烷基树脂，以及用它形成的半导体器件的层间绝缘膜。该硅氧烷基树脂除了具有优异的机械性能、耐热性和耐裂性之外，还具有如此低的介电常数，以至于它们可用作半导体器件互连层之间的绝缘膜材料。
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公开(公告)号：CN1486780A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155333.8
申请日：2003-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/0838
Abstract: 本发明公开了一种新型的双结构表面活性剂和使用该双结构表面活性剂制备中孔材料的方法。制备中孔材料的方法使用该新型的双结构表面活性剂作为结构导向剂，结果提供了孔径为10nm或更低且孔径分布均匀的中孔材料。
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